Improved electrical characteristics of 4H-SiC (0001) MOS devices with atomic layer deposited SiO2 gate dielectric with H2O plasma

論文・著書情報

タイトル

和文:	Improved electrical characteristics of 4H-SiC (0001) MOS devices with atomic layer deposited SiO2 gate dielectric with H2O plasma
英文:	Improved electrical characteristics of 4H-SiC (0001) MOS devices with atomic layer deposited SiO2 gate dielectric with H2O plasma

著者

和文:	Li An, 星井拓也, 筒井一生, 若林整, 角嶋邦之.
英文:	An Li, Takuya Hoshii, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi, Kuniyuki Kakushima.

言語

English

掲載誌/書名

和文:	Japanese Journal of Applied Physics
英文:	Japanese Journal of Applied Physics

巻, 号, ページ

Volume 63 Number 6 066503

出版年月

2024年6月

出版者

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会議名称

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開催地

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