物理形成シリコン量子ドットにおける電荷センサの機能向上についての研究 | T2R2 東京科学大学リサーチリポジトリ

論文・著書情報

タイトル

和文:	物理形成シリコン量子ドットにおける電荷センサの機能向上についての研究
英文:	A study on the functional advancement of charge sensors in physically defined silicon quantum dots

著者

和文:	西山伸平.
英文:	Shimpei Nishiyama.

種別

種別:	学位論文(博士)論文要旨
国名:	日本

言語

Japanese

学位授与組織

東京科学大学

報告番号

学位授与日

審査員

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