論文

• J. Yaita, T.Suto, M. Natal, S. E. Saddow, M. Hatano, T. Iwasaki. In-situ bias current monitoring of nucleation for epitaxial diamonds on 3C-SiC/Si substrates, Diamond & Related Materials, Vol. 88, pp. 158-162, Sept. 2018.
• T. Suto, J. Yaita, T. Iwasaki, M. Hatano. Highly oriented diamond (111) films synthesized by pulse bias-enhanced nucleation and epitaxial grain selection on a 3C-SiC-Si (111) substrate, Appl. Phys. Lett., Vol. 110, pp. 062102-1-062102-5, Feb. 2017.

国際会議発表 (査読有り)

• Takeru Suto, Junya Yaita, Takayuki Iwasaki, Mutsuko Hatano. Heteroepitaxial Growth of Highly-Oriented Diamond Films on 3C-SiC / Si (111) Substrates by Pulse Bias Enhanced Nucleation, 2016 MRS Fall Meeting & Exhibit, Nov. 2017.
• T.Suto, J.Yaita, T.Iwasaki, M.Natal, S.E.Saddow, M.Hatano. Heteroepitaxial Growth of Diamond on 3C-SiC/Si Substrates by Antenna-Edge Microwave Plasma CVD, SSDM2015, Sept. 2015.

国内会議発表 (査読有り)

• 須藤建瑠, 矢板潤也, 岩崎孝之, 波多野睦子. パルスバイアス核形成および選択的エッチング効果を用いた3C-SiC/Si上への(111)高配向ダイヤモンドの合成, 第30回ダイヤモンドシンポジウム, Nov. 2016.
• 須藤建瑠, 矢板潤也, 岩崎孝之, 波多野睦子. パルスバイアス核形成による3C-SiC(111)/Si(111)上へのダイヤモンドヘテロエピタキシャル成長, 第２９回ダイヤモンドシンポジウム, Nov. 2015.

国際会議発表 (査読なし・不明)

• Yusuke Shimamoto, Takeru Suto, Hayato Ozawa, Mutsuko Hatano, Shunri Oda, Takayuki Iwasaki. Very Narrow Linewidths in the Fluorescence from Germanium-Vacancy Centers in Nanodiamonds, 2016 MRS Fall Meeting & Exhibit, Dec. 2016.
• Y. Shimamoto, T. Suto, H. Ozawa, M. Hatano, S.Oda, T. Iwasaki. Very Narrow Linewidths in the Fluorescence from Germanium-Vacancy Centers in Nanodiamonds, Materials Research Society Fall Meeting, Nov. 2016.
• T. Suto, J. Yaita, T. Iwasaki, M. Hatano. Heteroepitaxial Growth of Diamond on 3C-SiC/Si by Antenna-edge Microwave Plasma CVD, Diamond Quantum Sensing Workshop 2015, Aug. 2015.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 須藤建瑠, 桑原新之介, 矢板潤也, 岩崎孝之, 波多野睦子. 高酸素濃度成長を用いたSi(111)上高配向ダイヤ膜の合成, 第64回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2017.
• 島本祐輔, 須藤建瑠, 波多野睦子, 小田俊理, 岩崎孝之. ナノダイヤモンド中に形成したGeVセンターからの単一光子放出, 第77回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2016.
• 須藤 建瑠, 矢板 潤也, 岩崎 孝之, 波多野 睦子. 3C-SiC(111)/Si(111)上への高配向ダイヤモンドのヘテロエピタキシャル成長, 第77回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2016.
• 須藤 建瑠, 矢板 潤也, 岩崎 孝之, 波多野 睦子. “パルスバイアス核形成法を用いた3C-SiC(111)/Si(111)上への高配向ダイヤモンドの合成, 第63回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2016.
• 長谷川淳一, 須藤建瑠, 岩崎孝之, 小寺哲夫, 古橋壮之, 野口宗隆, 中田修平, 西村正, 波多野睦子. DLTS法による窒化後酸化SiC-MOSFETの界面準位評価, 第75回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2014.
• 長谷川淳一, 野口宗隆, 中田修平, 須藤建瑠, 岩崎孝之, 小寺哲夫, 古橋壮之, 西村正, 波多野睦子. DLTS法による窒化後酸化SiC-MOSFETの界面準位評価, 第75回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2014.

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