論文

• Takayuki Iwasaki, Yuto Hoshino, KoheiTsuzuki, Hiomitsu Kato, Toshiharu Makino, Masahiko Ogura, Daisuke Takeuchi, Hideyo Okushi, SatoshiYamasaki, Mutsuko Hatano. High-Temperature Operation of Diamond Junction Field-Effect Transistors With Lateral p-n Junctions, IEEE Electron Device Lett, Vol. 34, pp. 1175-1177, Aug. 2013.
• Takayuki Iwasaki, Yuto Hoshino, Kouhei Tsuzuki, Hiromitsu Kato, Toshiharu Makino, Masahiko Ogura, Daisuke Takeuchi, Tsubasa Matsumoto, Hideyo Okushi, Satoshi Yamasaki, Mutsuko Hatano. Diamond Junction Field-Effect Transistors with Slectively Grown n+-Side Gates, Appl. Phys. Express, 5, 091301, Sept. 2012.
• Yuto Hoshino, H. Kato, T.Makino, M. Ogura, Takayuki Iwasaki, Mutsuko Hatano, S. Yamasaki. Electrical properties of lateral p-n junction diodes fabricated by selective growth of n+ diamond, PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 209, 9, 1761-1764, Sept. 2012.

国際会議発表 (査読有り)

• K.Sato, T.Iwasaki, Y.Hoshino, H.Kato, T.Makino, M.Ogura, S.Yamasaki, S.Nakamura, K.Ichikawa, A.Sawabe, M.Hatano. Analysis of Selective Growth of n-Type Diamond in Lateral pn Junction Diodes, 2013 JSAP-MRS Joint Symposia, Sept. 2013.
• T. Iwasaki, Y.Hoshino, K.Tsuzuki, H.Kato, T.Makino, M.Ogura, D.Takechi, H.Okushi, S.Yamazaki, M.Hatano. High Temperature Performance of Diamond Junction Field Effect Transistors, JSAP-MRS Joint Symposia, Sept. 2013.
• K. Tsuzuki, T. Iwasaki, Y. Hoshino, H. Kato, T. Makino, M. Ogura, D. Takeuchi, S. Yamasaki, M. Hatano. Diamond JFET Fabricated by Selectively Grown n+ Diamond Gates, IEEE EDS WIMNACT-37, Future Trend of Nanodevices and Photonics, Feb. 2013.
• Yuto Hoshino, H.Kato, T. Makino, M.Ogura, Takayuki Iwasaki, Mutsuko Hatano, S. Yamasaki. Electrical Properties of Lateral p-n Junction Diode Fabricated by Selective Growth of n+ Diamond, Hasselt Diamond Workshop 2012, 17th SBDD, 2012.
• Takayuki Iwasaki, Yuto Hoshino, Kouhei Tsuzuki, H. Kato, T. Makino, M. Ogura, D. Takeuchi, T. Matsumoto, H. Okushi, S. Yamasaki, Mutsuko Hatano. Diamond Semiconductor JFETs by Selectively Grown n+-Diamond Side Gates for Next Generation Power Devices, 2012 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)(2012), 2012.
• Takayuki Iwasaki, Yuto Hoshino, H. Kato, T. Makino, M. Ogura, D. Takeuchi, T. Matsumoto, S. Yamasaki, Mutsuko Hatano. Diamond Junction Field Effect Transistors with Selectively Grown n+ Gates, International Conference on Diamond and Carbon Materials (2012), 2012.
• Yuto Hoshino, Takayuki Iwasaki, Kouhei Tsuzuki, H. Kato, T. Makino, M. Ogura, D. Takeuchi, T. Matsumoto, S. Yamasaki, Mutsuko Hatano. Diamond Lateral p-n Diodes and JFETs by Selective Growth of n+ Diamond, 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM 2012), 2012.

国内会議発表 (査読有り)

• 岩崎孝之, 星野雄斗, 都築康平, 加藤宙光, 牧野俊晴, 小倉政彦, 竹内大輔, 大串秀世, 山崎聡, 波多野睦子. ダイヤモンド接合型電界効果トランジスタの高温・高電圧特性, 第27回ダイヤモンドシンポジウム, Nov. 2013.
• 佐藤一樹, 岩崎孝之, 星野雄斗, 加藤宙光, 牧野俊晴, 小倉政彦, 竹内大輔, 大串秀世, 山崎聡, 波多野睦子. ダイヤモンド横型接合デバイスの耐圧評価, 第60回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2013.
• 星野雄斗, 岩崎孝之, 都築康平, 加藤宙光, 牧野俊晴, 小倉政彦, 竹内大輔, 大串秀世, 山崎聡, 波多野睦子. ダイヤモンド横型接合FETの温度特性, 第60回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2013.
• 星野雄斗, 都築康平, 加藤宙光, 牧野俊晴, 小倉政彦, 岩崎孝之, 竹内大輔, 大串秀世, 山崎聡, 波多野睦子. n+選択成長を利用したダイヤモンド接合型電界効果トランジスタの試作とデバイス特性の解析, 第26回ダイヤモンドシンポジウム, Nov. 2012.
• 都築康平, 加藤宙光, 牧野俊晴, 小倉政彦, 竹内大輔, 大串秀世, 星野雄斗, 岩崎孝之, 山崎聡, 波多野睦子. n型ダイヤモンド半導体の選択成長法を用いた横型接合FET, 第73回秋季応用物理学会学術講演会, Sept. 2012.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 都築 康平, 加藤宙光, 牧野俊晴, 小倉政彦, 星野雄斗, 岩崎孝之, 山崎聡, 波多野睦子. n型ダイヤモンド半導体の選択成長を適用した横型p-nダイオード, 第59回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2012.

[ BibTeX 形式で保存 ]    [ 論文・著書をCSV形式で保存 ]    [ 特許をCSV形式で保存 ]