論文

• N. Takebe, T. Kobayashi, H. Suzuki, Y. Miyamoto, K. Furuya. Fabrication of InP/InGaAs DHBTs with buried SiO2 wires, IEICE Trans. Electron., IEICE, vol. E94-C, no. 5, pp. 830-834, May 2011.
• Y. Miyamoto, S. Takahashi, T. Kobayashi, Hiroyuki Suzuki, K. Furuya. Estimation of collector current spreading in InGaAs SHBT having 75-nm-thick collector, IEICE Trans. Electron., 電子情報通信学会, vol. E93C, no. 5, pp. 644-647, May 2010.

国際会議発表 (査読有り)

• YASUYUKI MIYAMOTO, Shinnosuke Takahashi, Takashi Kobayashi, Hiroyuki Suzuki, KAZUHITO FURUYA. Evaluation of collector current spreading of InGaAs SHBT with 75-nm-thick collector, 2009 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices（AWAD）, June 2009.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 小林 嵩, 鈴木裕之, 武部直明, 宮本恭幸, 古屋一仁. SiO2細線埋め込みInP/InGaAs DHBTの作製, 第57回応用物理学関係連合研究会, Mar. 2010.
• 高橋新之助, 山下浩明, 小林嵩, 磯谷優治, 鈴木裕之, 宮本恭幸, 古屋一仁. EB露光により作製したエミッタ幅200nmのInP/InGaAs SHBT, 2008年秋季第69回応用物理会学術講演会, Sept. 2008.

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