国際会議発表 (査読有り)

• Ken-Ichi Haga, Yuki Nakada, Dan Ricinschi, Eisuke Tokumitsu. Characterization of In2O3 Channel Ferroelectric-Gate Thin Film Transistors, International Thin-FilmTransistor Conference(ITC 2014), Jan. 2014.
• Eisuke Tokumitsu, Kei Sato, Ken-Ichi Haga. Fundamental Study on Thermal Nanoimprint Process for Oxide-channel Thin Film Transistor Fabrication, Nanoinprint and Nanoprint Technology(the 12th International Conference on NNT 2013), Oct. 2013.
• Ken-ichi Haga, Eisuke Tokumitsu. Fabrication and Characterization of An-Sn-O series oxide thin film transistors, ITC 2012(8th International Thin-Film Transistor Conference), Jan. 2012.
• Eisuke Tokumitsu, Ken-ichi Haga, Tomohiro Oiwa. Fabrication of IGZO and In2O3-Channel Ferroelectric-Gate Thin Film Transistors, 2010 MRS Spring meeting, Materials Research Society, Apr. 2010.

国内会議発表 (査読有り)

• 清水貴也, 羽賀健一, 徳光永輔, 金田敏彦, 下田達也. 様々な液体原料を用いたIn-Zn-O薄膜の形成と薄膜トランジスタ応用, 薄膜材料デバイス研究会、第８回研究集会, Nov. 2011.
• 羽賀健一, 徳光永輔. スパッタ法によるAl-Zn-Sn-O チャネルＴＦＴの作製, 薄膜材料デバイス研究会、第７回研究集会, 6P34, Nov. 2010.
• 羽賀健一, 徳光永輔. スパッタ法によるAl-Zn-Sn-OチャネルTFTの作製, 第７１回応用物理学会学術講演会, Sept. 2010.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 羽賀健一, 徳光永輔. a-In-Ga-Zn-O チャネル強誘電体ゲート薄膜トランジスタの作製, 第30回強誘電体応用会議(fma30), pp. 25, May 2013.
• 羽賀健一, 大岩朝洋, 徳光永輔. IGZOおよびIn2O3をチャネルに用いた強誘電体ゲートTFTの作製, 薄膜材料デバイス研究会 第六回研究集会, 3P40, Nov. 2009.
• 近藤洋平, 大岩朝洋, 羽賀健一, 徳光永輔. Bi1.5Zn1.0b1.5O7をゲート絶縁膜に用いた酸化物チャネル薄膜トランジスタの作製, 第５６回 応用物理学関係連合会講演会, 第５６回 応用物理学関係連合会講演会, 31p-ZH-12/Ⅱ, Mar. 2009.

学位論文

• 酸化物半導体の強誘電体メモリ応用と液体プロセスに関する研究,  審査の要旨,  博士(工学),  東京工業大学,  2014/09/25,   
• 酸化物半導体の強誘電体メモリ応用と液体プロセスに関する研究,  論文要旨,  博士(工学),  東京工業大学,  2014/09/25,   
• 酸化物半導体の強誘電体メモリ応用と液体プロセスに関する研究,  本文,  博士(工学),  東京工業大学,  2014/09/25,   

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