論文

• W Zhang, T. Kanazawa, Y. Miyamoto. Performance improvement of a p-MoS2/HfS2 van der Waals heterostructure tunnelling field-effect transistor by UV-O3 treatment, Apl. Phys. Exp, vol. 12, no. 6, 065005 (2019), May 2019.  公式リンク  
  
• W Zhang, S. Netsu, T. Kanazawa, T. Amemiya, Y. Miyamoto. Effect of increasing gate capacitance on the performance of a p-MoS2/HfS2 van der Waals heterostructure tunneling field-effect transistor, Jpn. J. Appl. Phys, 58, SBBH02 (2019), Jan. 2019.

国際会議発表 (査読有り)

• W. Zhang, S. Netsu, T.Kanazawa, T. Amemiya, Y. Miyamoto. p-MoS2/HfS2 van der Waals Heterostructure Transistor Using Ni Backgate Buried in HfO2 Dielectric, 2018 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2018), M-7-03, Sept. 2018.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 張 文倫, 金澤 徹, 北村 稔, 宮本 恭幸. UV-O3表面酸化によるHfS2 MOSFETの性能改善, 第66回応用物理学会春季学術講演会, 11p-W521-4, Mar. 2019.
• 張 文倫, 祢津 誠晃, 金澤 徹, 雨宮 智宏, 宮本 恭幸. 埋め込みNiバックゲートを用いたp-MoS2/HfS2トンネルFET, 第79回応用物理学会秋季学術講演会, 19a-212B-5, Sept. 2018.

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