論文

• 原和彦. 二段階気相法によるGaN粉体の合成と発光中心不純物の添加, 応用物理, Vol. 73, No. 3, pp. 373-377, 2004.
• K. Hara, A. Sato, K. Azumada, T. Atsumori, M. Shiratori. Preparation of AlN:Mn films by metalorganic chemical vapor deposition for thin film electroluminescent devices, phys. stat. sol., Vol. 0, No. 7, pp. 2274-2277, 2003.
• Kazuhiko Hara, Takashi Matsumoto, Eri Okuyama. High-Rate Particle Growth Using GaCl and NH[3] as Sources in Two-Stage Vapor-Phase Method for Synthesis of GaN Powders, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 41, No. 12A, pp. L1351-L1353, 2002.
• Kazuhiko HARA, Yuuki MATSUNO, Yoshinori MATSUO. Vapor Phase Synthesis of Fluorescent Gallium Nitride Powders, Jpn. J. App. Phys., Vol. 40, No. 3B, pp. L242－L244, 2001.
• K. Hara, Y. Matsuo, Y. Matsuno. Vapor Phase Synthesis and Characterization of Gallium Nitride Powders, Materials Research Society Symposium Proceedings, Vol. 639, pp. G3.31.1-6, 2001.
• Kazuhiko HARA, Nobuyuki OHTAKE, Ken-ichi ISHII. Green emission from Tb-doped GaN grown by MOVPE, phys. stat. sol. (b), Vol. 216, No. 1, pp. 625-8, 1999.
• K. Hara, A. Sato, K. Azumada, T. Atsumori, M. Shiratori. Preparation of AlN:Mn films by metalorganic chemical vapor deposition for thin film electroluminescent devices, Abst. 5th Int. Conf. Nitride Semiconductors, pp. Tu-P2.45, 2003.
• K. Hara, E. Okuyama, T. Matsumoto. Vapor Phase Synthesis of Gallium Nitride Powders for Phosphor Applications, Extended Abst. 21st Electronic Materials Symposium, pp. 63-64, 2002.
• Kazuhiko Hara, Yoshinori Matsuo, Yuuki Matsuno. Vapor Phase Synthesis and Characterization of GaN Powders, Abst.2000 MRS Fall Meeting , pp. 151, 2000.
• 原和彦. III族窒化物の蛍光体応用に向けて－合成と発光制御－, 多元系機能材料研究会2004年度講演会，都市エリア産官学連携推進事業「三重・伊勢湾岸エリア」第1回都市エリアワークショップ資料集, 2004.
• 原　和彦, 疋田英朗, 頼　高潮. AlN蛍光体の燃焼合成と発光特性, 蛍光体同学会第305回研究会予稿集, pp. 3-8, 2004.
• 原　和彦, 疋田英朗, 頼　高潮, 桜井利隆. 窒化アルミニウム蛍光体の燃焼合成, 日本学術振興会光電相互変換第125委員会第185回研究会資料, 2004.
• 原和彦, 奥山絵里, 米村淳. 発光中心不純物を添加したGaN粉体の二段階気相合成, 電子情報通信学会技術研究報告, pp. ED2002-104, 2003.
• 原和彦. 機能性Ⅲ族窒化物の燃焼合成, 第32回燃焼合成研究会予稿集, pp. 19, 2003.
• 原和彦. 二段階気相法によるGaN粉体の合成と発光中心不純物の添加, 電気化学会創立70周年記念大会要旨集「蛍光体とその応用」シンポジウム, pp. 127, 2003.
• 原和彦. 新規III－窒化物系発光材料の開発, 第50回応用物理学関係連合講演会予稿集「ディスプレイ・照明用の発光材料」シンポジウム, pp. 19, 2003.
• 原　和彦, 奥山絵里, 松本高史. ２段階気相法による蛍光体用GaN粉体の合成, 日本学術振興会光電相互変換第125委員会第178回研究会資料, pp. 48-51, 2002.
• 内田　剛生, 米村　淳, 原　和彦. 二段階気相法におけるGaN粉体成長過程の解明, 第51回応用物理学関係連合講演会予稿集, pp. 1607, 2004.
• 米村　淳, 内田　剛生, 原　和彦. GaN粉体の二段階気相合成　－粒子成長過程におけるガス分圧依存性－, 第51回応用物理学関係連合講演会予稿集, pp. 1606, 2004.
• 疋田 英朗, 原　和彦, 頼　高潮. 燃焼合成AlN蛍光体の発光特性(Ⅱ) - CLとPLの比較 -, 第65回応用物理学会学術講演会予稿集, pp. 1281, 2004.
• 米村　淳, 原　和彦. Zn添加GaN粉体の二段階気相合成, 第65回応用物理学会学術講演会予稿集, pp. 1280, 2004.
• 原和彦, 疋田英朗, 頼高潮, 桜井利隆. 燃焼合成AlN蛍光体の発光特性, 第64回応用物理学会学術講演会予稿集, pp. 1317, 2003.
• 佐藤歩, 東田恭子, 敦森俊幸, 原和彦. AlN:Mn薄膜EL素子の作製, 第50回応用物理学関係連合講演会予稿集, pp. 1540, 2003.
• 奥山絵里, 米村淳, 原和彦. 二段階気相法により作製したGaN:Zn粉体に対するNH3アニ-ルの効果, 第50回応用物理学関係連合講演会予稿集, pp. 1540, 2003.
• 米村淳, 奥山絵里, 原和彦. GaN粉体の二段階気相合成における反応条件依存性Ⅱ, 第50回応用物理学関係連合講演会予稿集, pp. 1540, 2003.
• 奥山絵里, 米村淳, 原和彦. GaN粉体の二段階気相合成における発光中心不純物のドーピング, 第63回応用物理学会学術講演会予稿集, pp. 1266, 2002.
• 佐藤歩, 東田恭子, 敦森俊幸, 白鳥昌宏, 原和彦. AlN:Mn薄膜の作製と発光特性評価, 第63回応用物理学会学術講演会予稿集, pp. 1266, 2002.
• 東田恭子, 佐藤歩, 敦森俊幸, 原和彦. 有機金属気相法によるAlN:Mn薄膜の作製, 第63回応用物理学会学術講演会予稿集, pp. 1265, 2002.
• 山口大志, 関口敦, 松本高史, 奥山絵里, 原和彦. GaN粉体の気相合成における粒子形成過程, 第49回応用物理学関係連合講演会予稿集, pp. 367, 2002.
• 奥山絵里, 松本高史, 関口敦, 山口大志, 原和彦. GaN粉体の二段階気相合成における反応条件依存性, 第49回応用物理学関係連合講演会予稿集, pp. 367, 2002.
• 関口　敦, 松本 高史, 奥山　絵里, 山口　大志, 松野　祐樹, 原　和彦. InGaN粉体の気相合成, 第62回応用物理学会学術講演会予稿集, pp. 276, 2001.
• 白鳥　昌宏, 佐藤　歩, 東田　恭子, 原　和彦. 有機金属気相法によるGaN:Mn薄膜の作製, 第62回応用物理学会学術講演会予稿集, pp. 249, 2001.
• 松本 高史, 関口　敦, 奥山　絵里, 山口　大志, 松尾　嘉典, 原　和彦. 二段階法によるGaN粉体の気相合成, 第62回応用物理学会学術講演会予稿集, pp. 275, 2001.
• 岡本 壮平, 白鳥　昌宏, 佐藤　歩, 原　和彦. 低温成長と熱アニールによるGaN：Tb薄膜の作製, 第48回応用物理学関係連合講演会予稿集, pp. 402, 2001.
• 松尾 嘉典, 松野 祐樹, 原 和彦. GaN粉末の気相合成, 第47回応用物理学関係連合講演会予稿集, pp. 369, 2000.
• 松野 祐樹, 松尾 嘉典, 原 和彦. 気相法で作製したGaN粉体のフォトルミネッセンス特性, 第47回応用物理学関係連合講演会予稿集, pp. 369, 2000.
• KAZUHIKO HARA. Wide Bandgap ZnHgSSe for Visible Lasers, J. Cryst. Growth, Vol. 184/185, No. 1-4, pp. 610-613, 1998.
• KAZUHIKO HARA. MOVPE of GaN Using a Specially Designed Two-Flow Horizontal Reactor, J. Cryst. Growth, Vol. 170, No. 1-4, pp. 312-315, 1997.
• KAZUHIKO HARA. Blue-Green Stimulated Emission in Lattice-Matched ZhHgSSe/ZnSSe Double Heterostructures by Optical Pumping(共著), Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 36, No. 3B, pp. 1972-1975, 1997.
• KAZUHIKO HARA. Growth of p-type ZnSe by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy Using Ethylazide as a New Nitrogen Source(共著), J. Cryst. Growth, Vol. 159, No. 1-4, pp. 130-133, 1996.
• KAZUHIKO HARA. Growth and Optical Properties of strained(AlP)┣D2n┫D2(GaP)┣D2n┫D2Short-Period Supperlattices(共著), J. Electron. Mater., Vol. 25, No. 12, pp. 1801-1805, 1996.
• KAZUHIKO HARA. Optical Properties of Wide Bandgap ZnHgSSe Layers Grown by Molecular Beam Epitaxy(共著), J. Cryst. Growth, Vol. 159, No. 1-4, pp. 45-49, 1996.
• KAZUHIKO HARA. Blue-Emitting ac-Electroluminescent Cells Based on ZnS : Tm, Li Powder Phosphor(共著), 4pn. J. Appl. Phys., Vol. 34, No. 3B, pp. L368-L370, 1995.
• KAZUHIKO HARA. Growth and Characterizaion of Wide Bandgap Zn┣D21-x┫D2Hg┣D2x┫D2Se(共著), J. Cryst. Growth, Vol. 150, No. 1-4, pp. 725-728, 1995.
• KAZUHIKO HARA. Gas-Source Molecular Beam Epitaxy of Wide-Band-Gap Zn┣D21-x┫D2Hg┣D2x┫D2Se(x=0-0.14)(共著), Appl. Phys. Lett., Vol. 66, No. 24, pp. 3337-3339, 1995.
• KAZUHIKO HARA. Dimethylamine as a Carbon Remover in Atomic Layer Epitaxy of AlAs(共著), Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 34, No. 11A, pp. L1436-L1438, 1995.
• KAZUHIKO HARA. Inducement of GaAs Growth by Electron Beam Irradiation on GaAs Covered by Native Oxide(共著), J. Cryst. Growth, Vol. 150, No. 1-4, pp. 612-615, 1995.
• KAZUHIKO HARA. Atomic Layer Epitaxy of AlAs Using Ethyldimethylamine Alane as a New Aluminum Source(共著), Appl. Phys. Lett., Vol. 65, No. 9, pp. 1115-1117, 1994.
• KAZUHIKO HARA. Low-Temperature Metalorganic Vapor Phase Epitaxial Growth of Cu(Al┣D2x┫D2Ga┣D21-x┫D2)(S┣D2y┫D2Se┣D21-y┫D2)┣D22┫D2(共著), Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 33, No. 4B, pp. L575-L577, 1994.
• KAZUHIKO HARA. Optically Pumped Stimulated Emission from CuGa(S┣D20.65┫D2Se┣D20.35┫D2)┣D22┫D2/CuAl┣D20.3┫D2Ga┣D20.7┫D2(S┣D20.65┫D2Se┣D20.35┫D2)┣D22┫D2Double Heterostructures Grown by MOVPE(共著), Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 33, No. 5A, pp. L624-L626, 1994.
• KAZUHIKO HARA. MOVPE Growth of p-Type ZnSSe and Its Application for Blue-Green Lasers(共著), J. Cryst. Growth, Vol. 138, No. 1-4, pp. 755-758, 1994.
• KAZUHIKO HARA. Surface Reactions in Photoassisted MOVPE Growth of ZnSe as Studied by In-Situ Optical Reflection Measurements(共著), Appl. Surf. Sci., Vol. 79, No. 80/, pp. 434-438, 1994.
• KAZUHIKO HARA. Optical Properties of AlP-GaP Short-Period Superlattices(共著), Solid-State Electronics, Vol. 37, No. 4-6, pp. 649-652, 1994.
• KAZUHIKO HARA. AlAs Layers with Low carbon Content Grown by ALE Using Ethyldimethylamine Alane as a New Aluminum Source(共著), Appl. Surf. Sci., Vol. 82, No. 83/, pp. 132-135, 1994.
• KAZUHIKO HARA. Metalorganic Vapor Phase Epitaxy of CuGaS┣D22┫D2 Using Ditertiarybutyl sulfide as the Sulfur Source(共著), Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 32, No. 4B, pp. L560-L562, 1993.
• KAZUHIKO HARA. Metalorganic Vapor Phase Epitaxy of Cu(Al┣D2x┫D2Ga┣D21-y┫D2)S┣D2y┫D2Se┣D21-y┫D2)┣D22┫D2(共著), Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 32, No. 4B, pp. L563-L566, 1993.
• KAZUHIKO HARA. MOVPE Growth of Short-Period Superlattices of AlP-GaP and Its Application for Light-Emitting Diodes(共著), J. Cryst. Growth, Vol. 124, No. 1-4, pp. 772-776, 1992.
• KAZUHIKO HARA. Visible Light-Emitting Diodes Consisting of AlP-GaP Short-Period Superlattices(共著), Electron. Lett., Vol. 28, No. 9, pp. 836-838, 1992.
• KAZUHIKO HARA. Preparation of ZnS : Tm Films by Metalorganic Chemical Vapor Deposition Using Thulium-Diketonates as Dopants, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 31, No. 12A, pp. L1661-L1664, 1992.
• KAZUHIKO HARA. Band Discontinuity at Al┣D2x┫D2Ga┣D21-x┫D2P/GaP Heterointerfaces Studied by Capacitance Measurement(共著), Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 31, No. 8B, pp. L1161-L1163, 1992.
• KAZUHIKO HARA. MOVPE Growth of p-Type ZnSe Using Dimethylaminolithium as Dopant(共著), J. Cryst. Growth, Vol. 124, No. 1-4, pp. 616-619, 1992.
• KAZUHIKO HARA. Growth of CuGaS┣D22┫D2 by Alternating-Source-Feeding MOVPE(共著), J. Cryst. Growth, Vol. 115, No. 1-4, pp. 807-810, 1991.
• KAZUHIKO HARA. Short-Period Superlattices of(GaP)┣D2n┫D2(AlP)┣D2n┫D2Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy(共著), Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 30, No. 7B, pp. L1244-L1246, 1991.
• KAZUHIKO HARA. Metalorganic Vapor Phase Epitaxy of CuGa(S┣D2x┫D2Se┣D2-x┫D2)┣D22┫D2Lattice Matched to GaP(共著), Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 30, No. 3B, pp. L437-L440, 1991.
• KAZUHIKO HARA. Plasma-Enhanced Doping of Manganese in Zinc Sulfide Layers during Metalorganic Chemical Vapor Deposition(共著), J. Cryst. Growth, Vol. 96, No. 4, pp. 979-981, 1989.
• KAZUHIKO HARA. MOVPE Growth and Characterization of I-III-VI┣D22┫D2 Chalcopyrite Compounds(共著), J. Cryst. Growth, Vol. 93, No. 1-4, pp. 771-775, 1988.
• KAZUHIKO HARA. Epitaxial Growth of CuGaS┣D22┫D2 by Metalorganic Chemical Vapor Deposition(共著), Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 26, No. 7, pp. L1107-L1109, 1987.
• KAZUHIKO HARA. Low Resistivity Al-Doped ZnS Grown By MOVPE(共著), J. Cryst. Growth, Vol. 77, No. 1-3, pp. 485-489, 1986.

著書

• K. Hara, H. Hikita, G. Lai, T. Sakurai. Combustion Synthesis of Aluminum Nitride Phosphors, Proc. 12th Int. Workshop on Inorganic and Organic Electroluminescence & 2004 Int. Conf. on the Science and Technology of Emissive Displays and Lighting, Proc. 12th Int. Workshop on Inorganic and Organic Electroluminescence & 2004 Int. Conf. on the Science and Technology of Emissive Displays and Lighting, pp. 24-27, 2004.
• K. Hara, E. Okuyama, T. Matsumoto. Synthesis of Gallium Nitride Powders by Two-Stage Chemical Vapor Method for Phosphor Applications, Proc. 11th Int. Workshop on Inorganic and Organic Electroluminescence & 2002 Int. Conf. on the Science and Technology of Emissive Displays and Lighting, Proc. 11th Int. Workshop on Inorganic and Organic Electroluminescence & 2002 Int. Conf. on the Science and Technology of Emissive Displays and Lighting, pp. 525-528, 2002.
• 原　和彦(分担). 機械工学便覧α8編「電気・電子の基礎」, 日本機械学会, 日本機械学会, 2004.
• 原和彦. 化学便覧応用化学編第6版, 丸善, 丸善, 2002.
• KAZUHIKO HARA. Proc. Int. Symp. Blue Laser and Light Emitting Diodes(共著), Ohmsha, Ohmsha, pp. 473-476,518-521, 1996.

国際会議発表 (査読有り)

• KAZUHIKO HARA, hiroshi kukimoto, J. Yoshino. Optical properties of AlP-GaP short-period superlattices, Solid-State Electronics, Vol. 37, No. 4-6, pp. 349-652, 1994.

国際会議発表 (査読なし・不明)

• N. Nishizawa, B. Al-Qadi, T. Kuchimaru, K. Takahashi, K. Hara, H. Munekata. Cancer Detection using circular polarization of light scattered by biological tissues, The 4th International Symposium on Biomedical Engineering (ISBE2019), Nov. 2019.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 西沢望, 宗片比呂夫, 口丸高弘, 原 和彦. 生体計測応用に向けた円偏光発光ダイオードのニーズ探索 －円偏光散乱を用いた早期胃がん計測へ－, 令和3年度生体医歯工学共同研究拠点成果報告会 第12回IDEA連携シンポジウム, Mar. 2022.
• 西沢望, 宗片比呂夫, B. Al-Qadi, 口丸高弘, 原 和彦. 円偏光散乱によるがん識別の検証, 生体医歯工学共同研究拠点 令和2年度成果報告会, Mar. 2021.
• 西沢望, 河島眞弥, 宗片比呂夫, Bassam Al-Qadi, 口丸 高弘, 原 和彦. 円偏光散乱を用いたがん検出の実証, 令和元年度生体医歯工学共同研究拠点 成果報告会, Mar. 2020.
• 西沢 望, 高橋 一真, 濱田 敦志, 宗片 比呂夫, 口丸 高弘, 原 和彦. 円偏光を用いた非染色 非侵襲な新規癌検出技術の基礎研究, 平成30年度生体医歯工学共同研究拠点成果報告会, Mar. 2019.

学位論文

• カルコパイライト型銅化合物の有機金属気相エピタキシャル成長法に関する研究,  本文,  Doctor of Engineering,  東京工業大学,  1989/--/--, 

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