国際会議発表 (査読なし・不明)

• Kazuma Terayama, 中島 昭, 西澤伸一, 大橋弘通, Kuniyuki KAKUSHIMA, Hitoshi Wakabayashi, KAZUO TSUTSUI, HIROSHI IWAI. Caluculation of ultimate on-resistance in GaN lateral HFETs using device simulation, The Workshop on Future Trend of Nanoelectronics:WIMNACT 39, 2014.
• 劉 璞誠, 中島 昭, Kuniyuki KAKUSHIMA, T. Makino, M. Ogura, 西澤伸一, HIROSHI IWAI, 大橋弘通. A study on mobility of 2D hole gas in AlGaN/GaN heterostructure with piezo- and spontaneous polarizationn, P. Liu, A. Nakajima, K. Kakushima, T. Makino, M. Ogura, S. Nishizawa, H. Iwai, H. Ohashi, “A study on mobility of 2D hole gas in AlGaN/GaN heterostructure with piezo- and spontaneous polarization”, The Workshop on Future Trend of Nanoelectronics:WIMNACT 39, February 7, 2014, Suzukake Hall, Suzukakedai Campus, Tokyo Institute of Technology, Japan, 2014.
• Hiroaki Yonezawa, Rei Kayanuma, 中島 昭, 西澤伸一, 大橋弘通, KAZUO TSUTSUI, Kuniyuki KAKUSHIMA, Hitoshi Wakabayashi, HIROSHI IWAI. AlGaN/GaN-based p-channel HFETs with wide-operating temperature, The Workshop on Future Trend of Nanoelectronics:WIMNACT 39, 2014.
• 中島 昭, Hiroaki Yonezawa, KAZUO TSUTSUI, Kuniyuki KAKUSHIMA, 西澤伸一, 大橋弘通, Hitoshi Wakabayashi, HIROSHI IWAI. One-chip operation of GaN-based P-channel and N-channel Heterojunction Field Effect Transistors, The 26th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs(ISPSD 2014), 2014.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 米澤宏昭, 萱沼怜, 中島 昭, 西澤伸一, 大橋弘通, 筒井一生, 角嶋邦之, 若林整, 岩井洋. 広い温度範囲で動作するAlGaN/GaN系Pチャネル型HFET, 第61回応用物理学会春季学術講演会, 2014.
• 寺山一真, 中島 昭, 西澤伸一, 大橋弘通, 角嶋邦之, 若林整, 筒井一生, 岩井洋. デバイスシミュレーションによる横型GaNパワーデバイスの極限オン抵抗の試算, 第61回応用物理学会春季学術講演会, 2014.
• 米澤宏昭, 中島 昭, 西澤 伸一, 大橋 弘通, 筒井一生, 角嶋邦之, 若林整, 岩井洋. AlGaN/GaN系pチャンネルHFETの製作, 第74回応用物理学会秋季学術講演会, 2013.

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