論文

• Y. Mukunoki, K. Konno, T. Horiguchi, A. Nishizawa, M. Kuzumoto, M. Hagiwara, H. Akagi. An Improved Compact Model for a Silicon-Carbide MOSFET and Its Application to Accurate Circuit Simulation, IEEE Transactions on Power Electronics, Vol. 33, No. 11, pp. 9834-9842, Nov. 2018.

国際会議発表 (査読有り)

• Yasushige Mukunoki, Takeshi Horiguchi, Hiroshi Nakatake, Masaki Kuzumoto, Makoto Hagiwara, Hirofumi Akagi. Physical Analysis of Gate-Source Voltage Dependencies of Parasitic Capacitors, and Their Impacts on Switching Behavior of a Discrete Silicon-Carbide MOSFET, 2019 10th International Conference on Power Electronics and ECCE Asia (ICPE 2019 - ECCE Asia), IEEE, May 2019.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 牛島和樹, 葛本昌樹, 萩原誠, 滕飛, 石井佑季, 中嶋純一, 堀口剛司, 椋木康滋, 地道拓志. 6.5 kV耐圧SiC-MOSFETのデバイスモデルを用いた並列駆動動作に関する一検討, 電気学会研究会資料. SPC, 半導体電力変換研究会, SPC-20-048, Jan. 2020.
• 滕飛, 葛本昌樹, 萩原誠, 石井佑季, 中嶋純一, 堀口剛司, 椋木康滋, 地道拓志. 6.5kV耐圧SiC-MOSFETのデバイスモデル開発, 電気学会研究会資料. SPC, 半導体電力変換研究会, SPC-19-068, Oct. 2019.
• 滕飛, 葛本昌樹, 萩原誠, 石井佑季, 中嶋純一, 椋木康滋, 堀口剛司. 6.5kV耐圧SiC-MOSFETの出力特性モデリング, 平成31年電気学会全国大会, 4-013, pp. 20-21, Mar. 2019.
• 椋木康滋, 堀口剛司, 葛本昌樹, 萩原誠, 赤木泰文. SiC-MOSFETデバイスモデルの開発, 平成30年電気学会産業応用部門大会, 7-1, pp. VII-1, Aug. 2018.
• 松尾翼, 昆野賢太郎, 葛本昌樹, 萩原誠, 赤木泰文, 椋木康滋, 堀口剛司, 中武浩. SiC-MOSFETデバイスモデルによる高周波漏洩電流の解析, 平成30年電気学会全国大会, 4-112, pp. 181-182, Mar. 2018.
• 松尾翼, 昆野賢太郎, 葛本昌樹, 萩原誠, 赤木泰文, 椋木康滋, 堀口剛司, 中山靖. 双方向絶縁形DC-DCコンバータにおけるSiC-MOSFETのソフトスイッチング特性解析, 平成29年電気学会産業応用部門大会, 1-134, pp. I-585-I-586, Aug. 2017.

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