論文

• 岩木拓也, 遠藤勇輝, 平岡瑞穂, 岸本尚之, 林拓也, 渡邊一世, 山下良美, 原紳介, 後藤高寛, 笠松章史, 遠藤聡, 藤代博記. 歪Al0.40In0.60Sb/Al0.25In0.75Sbステップバッファを用いたGaInSb n-チャネルHEMT, 信学技報, vol. 119, no. 353, pp. 29-32, Dec. 2019.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 岸本 尚之, 熊坂 昂之輔, 遠藤 勇輝, 林 拓也, 平岡 瑞穂, 白井 脩策, 吉田 直史, 町田 龍人, 渡邊 一世, 山下 良美, 原 紳介, 後藤 高寛, 笠松 章史, 藤代 博記, 遠藤 聡. チャネルスケーリングがSb系HEMT構造の電子輸送特性に及ぼす影響, 第80回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2019.

[ BibTeX 形式で保存 ]    [ 論文・著書をCSV形式で保存 ]    [ 特許をCSV形式で保存 ]