論文

• M. Nishizawa, T. Hoshii, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, Yoshiaki Daigo, Ichiro Mizushima, T. Yoda, K. Kakushima. Minority carrier lifetime extraction methodology based on parallel pn diodes with a field plate, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 61, SH1011, June 2022.

国際会議発表 (査読有り)

• K. Sasaki, J. Song, T. Hoshii, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, I. Mizushima, T. Yoda, K. Kakushima. Minority Carrier Lifetime Measurement for SiC Epitaxial Layer, The 5th Meeting on Advanced Power Semiconductors, Nov. 2018.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 小森 勇太, 星井 拓也, 宮野 清孝, 津久井 雅之, 水島 一郎, 依田 孝, 角嶋 邦之, 若林 整, 筒井 一生. InAlN/AlN/GaN構造中2DEGにおける移動度のキャリア濃度依存性, 第69回応用物理学会春季学術講演会, Sept. 2021.
• 小森 勇太, 木村 安希, 星井 拓也, 宮野 清孝, 津久井 雅之, 水島 一郎, 依田 孝, 角嶋 邦之, 若林 整, 筒井 一生. InAlN/AlN/GaN構造におけるキャリア散乱要因のAlN層厚依存性, 第82回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2021.
• 富澤 巧, 川上 賢人, 櫻井 照夫, 草場 彰, 岡本 直也, 芳松 克則, 醍醐 佳明, 水島 一郎, 依田 孝, 寒川 義裕, 柿本 浩一, 白石 賢二. 縦型結晶成長装置におけるGaN MOVPEシミュレーション, 第66回応用物理学会春期学術講演会, Mar. 2019.

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