@inproceedings{CTT100848908,
  author = {高山 研 and 太田 貴士 and 佐々木 満孝 and 向井 勇人 and 濱田 拓也 and 高橋 言雄 and 井出 利英 and 清水 三聡 and 星井 拓也 and 角嶋 邦之 and 若林 整 and 筒井 一生},
  title = {選択成長法を用いたGaN FinFETの作製:リーク電流抑制の改良},
  booktitle = {},
  year = 2020,
}

@inproceedings{CTT100829183,
  author = {高山 研 and 向井 勇人 and 濱田 拓也 and 高橋 言緒 and 井手 利英 and 清水 三総 and 星井 拓也 and 角嶋 邦之 and 若林 整 and 岩井 洋 and 筒井 一生},
  title = {GaN Fin構造選択成長における低抵抗領域の発生原因の検討},
  booktitle = {},
  year = 2019,
}

@inproceedings{CTT100829184,
  author = {向井 勇人 and 髙山 研 and 濱田 拓也 and 高橋 言緒 and 井手 利英 and 清水 三聡 and 星井 拓也 and 角嶋 邦之 and 若林 整 and 岩井 洋 and 筒井 一生},
  title = {選択成長法を用いたGaN FinFETの作製},
  booktitle = {},
  year = 2019,
}

@inproceedings{CTT100816748,
  author = {濱田 拓也 and 向井 勇人 and 高橋 言緒 and 井手 利英 and 清水 三聡 and 星井 拓也 and 角嶋 邦之 and 若林 整 and 岩井 洋 and 筒井 一生},
  title = {FinFET応用に向けた選択成長GaNチャネルの電気特性},
  booktitle = {},
  year = 2019,
}

@inproceedings{CTT100786671,
  author = {Takuya Hamada and Hayato Mukai and Tokio Takahashi and Toshihide Ide and Mitsuaki Shimizu and Hiroki Kuroiwa and Takuya Hoshii and Kuniyuki Kakushima and Hitoshi Wakabayashi and Hiroshi Iwai and Kazuo Tsutsui},
  title = {Electrical properties of selectively grown GaN channel for FinFETs},
  booktitle = {},
  year = 2018,
}

@inproceedings{CTT100816741,
  author = {向井 勇人 and 濱田 拓也 and 高橋 言緒 and 井出 利英 and 清水 三聡 and 星井 拓也 and 角嶋 邦之 and 若林 整 and 岩井 洋 and 筒井 一生},
  title = {立体チャネルトランジスタ応用に向けた選択成長GaNの異方性エッチング},
  booktitle = {},
  year = 2018,
}

@inproceedings{CTT100816730,
  author = {濱田拓也 and 向井勇人 and 高橋言緒 and 井手利英 and 清水三聡 and 星井拓也 and 角嶋邦之 and 若林整 and 岩井洋 and 筒井一生},
  title = {FinFET応用に向けた選択成長GaNチャネルの電気特性},
  booktitle = {},
  year = 2018,
}