国際会議発表 (査読なし・不明)

• Takuya Hamada, Hayato Mukai, Tokio Takahashi, Toshihide Ide, Mitsuaki Shimizu, Hiroki Kuroiwa, Takuya Hoshii, Kuniyuki Kakushima, Hitoshi Wakabayashi, Hiroshi Iwai, Kazuo Tsutsui. Electrical properties of selectively grown GaN channel for FinFETs, International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2018), Nov. 2018.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 高山 研, 太田 貴士, 佐々木 満孝, 向井 勇人, 濱田 拓也, 高橋 言雄, 井出 利英, 清水 三聡, 星井 拓也, 角嶋 邦之, 若林 整, 筒井 一生. 選択成長法を用いたGaN FinFETの作製:リーク電流抑制の改良, 第81回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2020.
• 高山 研, 向井 勇人, 濱田 拓也, 高橋 言緒, 井手 利英, 清水 三総, 星井 拓也, 角嶋 邦之, 若林 整, 岩井 洋, 筒井 一生. GaN Fin構造選択成長における低抵抗領域の発生原因の検討, 第80回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2019.
• 向井 勇人, 髙山 研, 濱田 拓也, 高橋 言緒, 井手 利英, 清水 三聡, 星井 拓也, 角嶋 邦之, 若林 整, 岩井 洋, 筒井 一生. 選択成長法を用いたGaN FinFETの作製, 第80回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2019.
• 濱田 拓也, 向井 勇人, 高橋 言緒, 井手 利英, 清水 三聡, 星井 拓也, 角嶋 邦之, 若林 整, 岩井 洋, 筒井 一生. FinFET応用に向けた選択成長GaNチャネルの電気特性, 第66回応用物理学会春期学術講演会, Mar. 2019.
• 向井 勇人, 濱田 拓也, 高橋 言緒, 井出 利英, 清水 三聡, 星井 拓也, 角嶋 邦之, 若林 整, 岩井 洋, 筒井 一生. 立体チャネルトランジスタ応用に向けた選択成長GaNの異方性エッチング, 第79回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2018.
• 濱田拓也, 向井勇人, 高橋言緒, 井手利英, 清水三聡, 星井拓也, 角嶋邦之, 若林整, 岩井洋, 筒井一生. FinFET応用に向けた選択成長GaNチャネルの電気特性, 第82回半導体・集積回路シンポジウム, Aug. 2018.

[ BibTeX 形式で保存 ]    [ 論文・著書をCSV形式で保存 ]    [ 特許をCSV形式で保存 ]