論文

• Eisuke Tokumitsu, Tomohiro Oiwa. Fabrication of IGZO and In2O3-Channel Ferroelectric-Gate Thin Film Transistors, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., Vol. 1250, 1250-G13-07, pp. 145-150, Aug. 2010.

国際会議発表 (査読有り)

• Eisuke Tokumitsu, Youhei Kondo, Tomohiro Oiwa. Preparation of Bi-Zn-Nb-O(BZN)High-K Gate insulator by Sputtering for Oxide Channel Thin Film Transistors, 16th Workshop on Dielectrics in Microelectronics(WoDiM 2010), June 2010.
• Eisuke Tokumitsu, Ken-ichi Haga, Tomohiro Oiwa. Fabrication of IGZO and In2O3-Channel Ferroelectric-Gate Thin Film Transistors, 2010 MRS Spring meeting, Materials Research Society, Apr. 2010.
• E. Tokumitsu, T. Oiwa. Fabrication of In-Ga-Zn-O channel thin film transistors with high-k and ferroelectric gate insulators, 23rd International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors (ICANS 23), Aug. 2009.
• Eisuke Tokumitsu, Tomohiro Oiwa. Transmission Electron Microscope Observation of ITO/(Bi,La)4Ti3O12 TFT Structures, International Thin Film Transistor Conference, The Proceedings of the 5th International thin Transistor Conference, pp. 177-179, Mar. 2009.
• Tomohiro Oiwa, Youhei Kondo, Mitsuru Nakata, Eisuke Tokumitsu. Fabrication of IGZO Channel Thin Film Transistor with BZN Gate Insulator, 2008 Fall Meeting, Materials Research Society, Paper. B10.3, Dec. 2008.
• Eisuke Tokumitsu, Tomohiro Oiwa, Yohei Kondo, Masaru Senoo. All-Oxide Transparent Thin Film Transistors with and without Nonvolatile Memory Function, 15th Workshop on Dielectrics in Microelectronics(WoDiM 2008), June 2008.

国内会議発表 (査読有り)

• 柴田宏, 大岩朝洋, 徳光永輔. 酸化物チャネル強誘電体ゲートトランジスタにおけるメモリ特性, 電子情報通信学会2008年総合大会, Mar. 2008.
• 柴田宏, 大岩朝洋, 徳光永輔. 酸化物チャネル強誘電体ゲート不揮発性メモリ素子の作製と評価, 信学技報、SDM2007-274(2008-03), 電子情報通信学会, Vol. 107, No. 549, pp. 7-12, Mar. 2008.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 羽賀健一, 大岩朝洋, 徳光永輔. IGZOおよびIn2O3をチャネルに用いた強誘電体ゲートTFTの作製, 薄膜材料デバイス研究会 第六回研究集会, 3P40, Nov. 2009.
• 近藤洋平, 大岩朝洋, 羽賀健一, 徳光永輔. Bi1.5Zn1.0b1.5O7をゲート絶縁膜に用いた酸化物チャネル薄膜トランジスタの作製, 第５６回 応用物理学関係連合会講演会, 第５６回 応用物理学関係連合会講演会, 31p-ZH-12/Ⅱ, Mar. 2009.
• 大岩朝洋, 近藤洋平, 中田充, 徳光永輔. 強誘電体・高誘電率材料をゲート絶縁膜に用いたIGZOチャネル薄膜トランジスタの作製と評価, 第69回応用物理学会学術講演会, 2008年秋季 第69回応用物理学会学術講演会 講演予稿集, 3a-K-9, Sept. 2008.
• 徳光永輔, 柴田宏, 大岩朝洋, 近藤洋平. 強誘電体および高誘電率材料をゲート絶縁膜に用いた酸化物チャネル薄膜トランジスタ, 信学技報、SDM2008-11、OME2008-11(2008-4), 電子情報通信学会, Vol. 108, No. 1, pp. 51-56, Apr. 2008.
• 柴田宏, 大岩朝洋, 徳光永輔. 酸化物半導体InGaZnO膜の強誘電体ゲート薄膜トランジスタへの適用, 第５５回 応用物理学関係連合会講演会, 第５５回 応用物理学関係連合会講演会 講演予稿集, No. 30a-P14-29, Mar. 2008.

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