国際会議発表 (査読なし・不明)

• M. Motoki, K. Kakushima, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, H.Wakabayashi, K. Tsutsui, K. Natori, H. Iwai. Effect of Annealing Temperature on Sheet Resistance of Ni Germanide Formed by Multi-Layered Ni and Ge Films, The Workshop on Future Trend of Nanoelectronics: WIMNACT 39, Yokohama, Feb. 2014.
• 吉原亮, Masaaki Motoki, Kuniyuki KAKUSHIMA, Yoshinori Kataoka, Akira Nishiyama, Nobuyuki Sugii, Hitoshi Wakabayashi, KAZUO TSUTSUI, Kenji Natori, HIROSHI IWAI. Interface control process toward un-pinned metal/germanium Schottky contact, The Workshop on Future Trend of Nanoelectronics:WIMNACT 39, 2014.
• Masaaki Motoki, Kuniyuki KAKUSHIMA, Yoshinori Kataoka, Akira Nishiyama, Nobuyuki Sugii, Hitoshi Wakabayashi, KAZUO TSUTSUI, Kenji Natori, HIROSHI IWAI. Dependence between Sheet Resistance and Annealing Temperature of Ni Germanide Formed by Multi-Layered Ni and Ge Films, The Workshop on Future Trend of Nanoelectronics:WIMNACT 39, 2014.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 吉原亮, 元木雅章, 角嶋邦之, 片岡好則, 西山彰, 杉井信之, 若林整, 筒井一生, 名取研二, 岩井洋. Pを導入したNiSi2/n-Geコンタクトの電気特性と不純物拡散の様子, 第61回応用物理学会春季学術講演会, 2014.
• 元木雅章, 角嶋邦之, 片岡好則, 西山彰, 杉井信之, 若林整, 筒井一生, 名取研二, 岩井洋. NiとGe積層薄膜によって形成したNiGe膜のシート抵抗と熱処理温度の関係, 第61回応用物理学会春季学術講演会（2014年3月17日～3月20日）, 2014.
• 元木雅章, 吉原亮, 角嶋邦之, 片岡好則, 西山彰, 杉井信之, 若林整, 筒井一生, 名取研二, 岩井洋. Pを導入したNiSi2電極を用いたn-Ge基板の電流電圧特性の熱処理依存性, 第74回応用物理学会秋季学術講演会, 2013.

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