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林建吾 研究業績一覧 (11件)
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論文
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Y. Takamura,
K. Hayashi,
Y. Shuto,
R. Nakane,
S. Sugahara.
Fabrication of High-Quality Co2FeSi/SiOxNy/Si(100) Tunnel Contacts Using Radical-Oxynitridation-Formed SiOxNy Barrier for Si-Based Spin Transistors,
J. Electron. Mater.,
Springer,
vol. 41,
no. 5,
pp. 954-958,
Apr. 2012.
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K. Hayashi,
Y. Takamura,
R. Nakane,
S. Sugahara.
Formation of Co2FeSi/SiOxNy/Si tunnel junctions for Si-based spin transistors,
J. Appl. Phys.,
American Institute of Physics.,
Vol. 107,
pp. 09B104/1-3,
Apr. 2010.
国際会議発表 (査読有り)
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Y. Takamura,
K. Hayashi,
Y. Shuto,
S. Sugahara.
Formation and structural analysis of half-metallic Co2FeSi/SiOxNy/Si contacts with radical-oxynitridation-SiOxNy tunnel barrier,
International Symposium on Advanced Hybrid Nano Devices (IS-AHND) : Prospects by World’s Leading Scientists,
paper P-40,
pp. 127-128,
Oct. 2011.
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Y. Takamura,
K. Hayashi,
Y. Shuto,
S. Sugahara.
Formation of half-metallic tunnel junctions of Co2FeSi/SiOxNy/Si using radical oxynitridation technique,
Electronic Materials Conf. (EMC) 2011,
DD-9,
p. 96,
June 2011.
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K. Hayashi,
Y. Takamura,
R. Nakane,
S. Sugahara.
Preparation and characterization of full-Heusler Co2FeSi alloy thin films on amorphous insulator films,
IEEE International Magnetics Conference (INTERMAG 09),
paper ES-08,
May 2009.
国内会議発表 (査読なし・不明)
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高村陽太,
林建吾,
影井泰次郎,
周藤悠介,
菅原聡.
ラジカル酸窒化膜を用いたCFS/SiOxNy/Siトンネル接合の形成と構造評価,
第16回半導体スピン工学の基礎と応用(PASPS-16),
p. 41,
Nov. 2011.
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髙村 陽太,
林 建吾,
周藤 悠介,
菅原 聡.
ラジカル酸窒化法を用いたCo2FeSi/SiOxNy/Siトンネル接合の形成,
第72回応用物理学会学術講演会,
31p-ZS-12,
Sept. 2011.
公式リンク
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林建吾,
高村陽太,
周藤悠介,
菅原聡.
RTA法を用いたCo2FeSiの形成における初期多層膜構造の影響,
第58回応用物理学関係連合講演会,
25a-KM-10,
Mar. 2011.
公式リンク
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林建吾,
高村陽太,
中根了昌,
菅原聡.
Co2FeSi/SiOxNy/Siトンネル接合の形成とその構造評価,
第57回応用物理学関係連合講演会,
17a-ZH-5,
Mar. 2010.
公式リンク
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林建吾,
高村陽太,
中根了昌,
菅原聡.
極薄絶縁膜上へのフルホイスラー合金Co2FeSiの形成とその評価,
第56回応用物理学関連連合講演会,
1a-Q-5,
Mar. 2009.
公式リンク
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林建吾,
高村陽太,
中根了昌,
菅原聡.
非晶質絶縁膜上へのフルホイスラー合金Co2FeSiの形成と評価,
第13回半導体スピン工学の基礎と応用 (PASPS-13),
B-3,
p. 9,
Jan. 2009.
公式リンク
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