論文

• Satoru Kaneko, Takashi Tokumasu, Manabu Yasui, Masahito Kurouchi, Daishi Shiojiri, Shigeo Yasuhara, Sumanta Kumar Sahoo, Musa Mutlu Can, Ruei Sung Yu, Kripasindhu Sardar, Masahiro Yoshimura, Masaki Azuma, Akifumi Matsuda, Mamoru Yoshimoto. Crystal orientation of epitaxial film deposited on silicon surface, Scientific Reports, Springer Nature, 14, May 2024.  公式リンク  
  
• daishi shiojiri, Daiji Fukuda, Ryosuke Yamauchi, Nobuo Tsuchimine, Koji Koyama, Satoru Kaneko, Akifumi Matsuda, MAMORU YOSHIMOTO. Room-temperature laser annealing for solid-phase epitaxial crystallization of β-Ga₂O₃ thin films, Applied Physics Express, IOPscience, Vol. 9, 105502, Sept. 2016.  公式リンク  
  
• Akifumi Matsuda, Ryosuke Yamauchi, Daishi Shiojiri, Geng Tan, Satoru Kaneko, Mamoru Yoshimoto. Room-temperature Selective Epitaxial Growth of CoO (111) and Co₃O₄ (111) Thin Films with Atomic Steps by Pulsed Laser Deposition, Applied Surface Science, Elsevier, Volume 349, Page 78, Sept. 2015.  公式リンク  
  
• daishi shiojiri, Ryosuke Yamauchi, Daiji Fukuda, Nobuo Tsuchimine, Satoru Kaneko, Akifumi Matsuda, Mamoru Yoshimoto. Room-temperature fabrication of highly oriented β-Ga2O3 thin films by excimer laser annealing, Journal of Crystal Growth, Vol. 424, pp. 38-41, Aug. 2015.  公式リンク  
  

国際会議発表 (査読有り)

• Akifumi Matsuda, Daishi Shiojiri, Hiroki Uchida, Kisho Nakamura, Yanna Chen, Osami Sakata, Nobuo Tsuchimine, Satoru Kaneko, Mamoru Yoshimoto. Buffer-Layer Enhanced Heteroepitaxy of β-Ga₂O₃:(Sn, Si) Thin Films by Room-Temperature Excimer Laser Annealing, 2016 MRS Fall Meeting & Exhibit, Nov. 2016.  公式リンク  
  
• daishi shiojiri, Daiji Fukuda, Nobuo Tsuchimine, Koji Koyama, Satoru Kaneko, Akifumi Matsuda, Mamoru Yoshimoto. Solid-phase Epitaxial Crystallization of Ga₂O₃ Thin Films by Pulsed KrF Excimer Laser Annealing towards Low-Temperature Device Fabrication, 2015 MRS Fall Meeting & Exhibits RR: Wide-Bandgap Materials for Energy Efficiency—Power Electronics and Solid-State Lighting, Materials Research Society, Nov. 2015.
• Akifumi Matsuda, Geng Tan, daishi shiojiri, Mushin Ryu, Satoru Kaneko, Mamoru Yoshimoto. Thermoelectric generation of V₂O₅–P₂O₅ oxide glass-based printable devices, 2015 MRS Fall Meeting & Exhibits SS: Progress in Thermal Energy Conversion, Materials Research Society, Nov. 2015.
• Akifumi Matsuda, Geng Tan, Yasuhisa Nozawa, daishi shiojiri, Tatsuhiro Urakami, Satoru Kaneko, Mamoru Yoshimoto. Preparation of ultra-flat transparent conductive films on atomic step-and-terrace structured flexible polymer sheets, 2015 MRS Fall Meeting & Exhibits MM: Advances in Flexible Devices for Energy Conversion and Storage, Materials Research Society, Nov. 2015.
• daishi shiojiri, Ryosuke Yamauchi, Daiji Fukuda, Nobuo Tsuchimine, Masaya Oda, Satoru Kaneko, Akifumi Matsuda, Mamoru Yoshimoto. Room-Temperature Oriented Crystallization of Ga₂O₃ Thin Films by UV Pulsed Laser Annealing, 2014 MRS Fall Meeting & Exhibits T: Wide-Bandgap Materials for Solid-State Lighting and Power Electronics, Materials Research Society, Nov. 2014.
• daishi shiojiri, Akira Yoshida, Naoya Inoue, Satoru Kaneko, Akifumi Matsuda, MAMORU YOSHIMOTO. Nanoscale Surface Patterning of α-Al₂O₃ Substrates by Way of Room-temperature Homoepitaxial Growth for Development of High-performance Devices, 2013 MRS Spring Meeting & Exhibit, Apr. 2013.  公式リンク  
  

国内会議発表 (査読有り)

• Akifumi Matsuda, daishi shiojiri, Hiroki Uchida, Kisho Nakamura, Nobuo Tsuchimine, Satoru Kaneko, MAMORU YOSHIMOTO. Buffer-induced room-temperature epitaxy of β-Ga₂O₃ thin films by excimer laser annealing, The 26th annual meeting of MRS-J, Dec. 2016.  公式リンク  
  

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 塩尻大士, 甲斐稜也, 金子智, 松田晃史, 吉本護. 非晶質酸化ガリウム薄膜固相結晶化へのエキシマレーザ照射条件の影響とマイクロ構造構築, 第84回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, Sept. 2023.
• 松田晃史, 塩尻大士, 内田啓貴, 金子智, 吉本護. 室温レーザMBEによる超平坦α-Fe₂O₃(0001)薄膜のヘテロエピタキシャル成長, 日本セラミックス協会 第29回秋季シンポジウム, 日本セラミックス協会 第29回秋季シンポジウム 講演予稿集, 公益社団法人 日本セラミックス協会, Aug. 2016.
• 松田晃史, 塩尻大氏, 福田大二, 内田啓貴, 土嶺信男, 金子智, 吉本護. レーザプロセスによるワイドギャップβ-Ga₂O₃薄膜の低温エピタキシー, 日本セラミックス協会 2016年年会, 日本セラミックス協会 2016年年会 講演予稿集, Mar. 2016.
• 高野詩織, 福田大二, 塩尻大士, 秋山賢輔, 金子智, 松田晃史, 吉本護. EuドープNiOエピタキシャル薄膜の室温作製と特性評価, 第63回 応用物理学会 春季学術講演会, 第63回 応用物理学会 春季学術講演会 講演予稿集, 公益社団法人 応用物理学会, Mar. 2016.  公式リンク  
  
• 内田啓貴, 塩尻大士, 福田大二, 土嶺信男, 小山浩司, 金子智, 松田晃史, 吉本護. エキシマレーザーアニーリングによるバッファ層誘起β-Ga₂O₃薄膜の低温固相エピタキシャル結晶化, 第63回 応用物理学会 春季学術講演会, 第63回 応用物理学会 春季学術講演会 講演予稿集, 公益社団法人 応用物理学会, Mar. 2016.  公式リンク  
  
• 梅澤 憲司, 塩尻大士, 松田晃史, 吉本護, 小粥 啓子. 低速原子散乱分光法によるMgO(111)表面構造解析, 第63回 応用物理学会 春季学術講演会, 第63回 応用物理学会 春季学術講演会 講演予稿集, 公益社団法人 応用物理学会, Mar. 2016.  公式リンク  
  
• 高野詩織, 福田大二, 塩尻大士, 土嶺信男, 金子 智, 松田 晃史, 吉本 護. 希土類ドープNiOエピタキシャル薄膜の特性評価, 第76回 応用物理学会 秋季学術講演会, 第76回 応用物理学会 秋季学術講演会 講演予稿集, 公益社団法人 応用物理学会, Sept. 2015.  公式リンク  
  
• 塩尻大士, 福田大二, 内田啓貴, 土嶺信男, 小山浩司, 金子智, 松田晃史, 吉本護. 紫外エキシマレーザー照射によるワイドギャップGa₂O₃薄膜の室温固相配向成長, 日本セラミックス協会 第28回秋季シンポジウム, 日本セラミックス協会 第28回秋季シンポジウム 講演予稿集, 公益社団法人 日本セラミックス協会, Sept. 2015.  公式リンク  
  
• 内田啓貴, 塩尻大士, 福田大二, 土嶺信男, 小山浩司, 金子 智, 松田 晃史, 吉本 護. エキシマレーザー照射による固相結晶化Ga₂O₃薄膜における構造及び光学特性へ, 第76回 応用物理学会 秋季学術講演会, 第76回 応用物理学会 秋季学術講演会 講演予稿集, 公益社団法人 応用物理学会, Sept. 2015.  公式リンク  
  
• 塩尻大士, 福田大二, 内田啓貴, 高野詩織, 土嶺信男, 小山浩司, 金子 智, 松田 晃史, 吉本 護. KrFエキシマレーザーアニールによるβ-Ga₂O₃エピタキシャル薄膜の室温作製と光学特性評価, 第76回 応用物理学会 秋季学術講演会, 第76回 応用物理学会 秋季学術講演会 講演予稿集, 公益社団法人 応用物理学会, Sept. 2015.  公式リンク  
  
• 松田晃史, 福田大二, 塩尻大士, 土嶺信男, 金子智, 吉本護. NiOバッファ層を用いたワイドギャップ半導性β-Ga₂O₃エピタキシャル薄膜の低温PLD成長, 日本セラミックス協会 2015年 年会, 日本セラミックス協会 2015年年会 講演予稿集, 公益社団法人 日本セラミックス協会, Mar. 2015.  公式リンク  
  
• 福田大二, 塩尻大士, 山内涼輔, 土嶺信男, 金子 智, 松田 晃史, 吉本 護. PLD法を用いたβ-Ga₂O₃エピタキシャル薄膜成長のNiOバッファー層導入による低温化, 第62回 応用物理学会 春季学術講演会, 第62回 応用物理学会 春季学術講演会 講演予稿集, 公益社団法人 応用物理学会, Feb. 2015.  公式リンク  
  
• 塩尻大士, 福田大二, 山内涼輔, 金子智, 土嶺信男, 織田 真也, 松田晃史, 吉本護. 非晶質Ga₂O₃薄膜へのエキシマレーザーアニールによる室温配向結晶成長, レーザー学会学術講演会 第35回年次大会, レーザー学会学術講演会 第35回年次大会 講演予稿集, 一般社団法人 レーザー学会, Jan. 2015.
• 淀 徳男, 楊 楠, 石川 智暁, 金子 智, 塩尻大士, 松田 晃史, 吉本 護. ECR-MBE 法で作製したグラフェン単層膜付/SiO₂/Si(001)基板上GaN薄膜(t~250nm)成長におけるグラフェン単層膜の影響 (II), 第75回 応用物理学会 秋季学術講演会, 第75回 応用物理学会 秋季学術講演会 講演予稿集, 公益社団法人 応用物理学会, Sept. 2014.  公式リンク  
  
• 塩尻大士, 福田大二, 山内涼輔, 金子 智, 土嶺信男, 織田真也, 松田 晃史, 吉本 護. 紫外レーザーアニーリングによるGa₂O₃薄膜の室温配向結晶化, 第75回 応用物理学会 秋季学術講演会, 第75回 応用物理学会 秋季学術講演会 講演予稿集, 公益社団法人 応用物理学会, Sept. 2014.  公式リンク  
  
• 福田大二, 塩尻大士, 山内涼輔, 土嶺信男, 織田真也, 金子 智, 松田 晃史, 吉本 護. PLD 法を用いたGa₂O₃薄膜結晶成長におけるバッファー層導入効果, 第75回 応用物理学会 秋季学術講演会, 第75回 応用物理学会 秋季学術講演会 講演予稿集, 公益社団法人 応用物理学会, Sept. 2014.  公式リンク  
  
• 塩尻大士, 吉田彬, 土嶺信男, 小粥啓子, 淀徳男, 金子 智, 松田 晃史, 吉本 護. PLD法によるGa₂O₃薄膜結晶成長に及ぼす雰囲気及び温度依存性, 第61回 応用物理学会 春季学術講演会, 第61回 応用物理学会 春季学術講演会 講演予稿集, 公益社団法人 応用物理学会, Mar. 2014.  公式リンク  
  
• 淀徳男, 井上直哉, 塩尻大士, 譚ゴオン, 熊谷典子, 松田晃史, 吉本護. ECR-MBE法で作製したSi基板上GaN薄膜(t<200nm)の高品質化への試み ―作製プロセスの見直しとその検討―, 2013年 第60回 応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2013.  公式リンク  
  
• 塩尻大士, 山内涼輔, 譚ゴオン, 金子智, 松田晃史, 吉本護. サファイア基板表面のナノスケールモフォロジー制御によるα-Al₂O₃薄膜の室温ホモエピタキシャル成長, 日本セラミックス協会 2013年年会, Mar. 2013.  公式リンク  
  
• 山内涼輔, 譚ゴオン, 塩尻大士, 小山浩司, 金子智, 松田晃史. 急速熱アニールによるセラミック薄膜表面へのナノパターン形成, 日本セラミックス協会2012年年会, 2012.  公式リンク  
  

学位論文

• 室温でのレーザープロセスを用いたワイドバンドギャップM2O3 (M=Al, Ga)薄膜のエピタキシャル成長に関する研究,  要約,  博士（工学）,  東京工業大学,  2016/03/26,   
• Study on Epitaxial Growth of Wide-Band-Gap M2O3 (M=Al, Ga) Thin Films by Room-Temperature Laser Processing,  Summary,  博士（工学）,  Tokyo Institute of Technology,  2016/03/26,   
• Study on Epitaxial Growth of Wide-Band-Gap M2O3 (M=Al, Ga) Thin Films by Room-Temperature Laser Processing,  Exam Summary,  博士（工学）,  Tokyo Institute of Technology,  2016/03/26,   
• Study on Epitaxial Growth of Wide-Band-Gap M2O3 (M=Al, Ga) Thin Films by Room-Temperature Laser Processing,  Thesis,  博士（工学）,  Tokyo Institute of Technology,  2016/03/26, 

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