論文

• Y. Takamura, A. Nishijima, Y. Nagahama, R. Nakane, S. Sugahara. Formation of Si- and Ge-based Full-Heusler Alloy Thin Films Using SOI and GOI Substrates for the Half-Metallic Source and Drain of Spin Transistors, ECS Trans., The Electrochemical Society, vol. 16, no. 10, pp. 945-952, Oct. 2008.

国際会議発表 (査読有り)

• Tomoyuki Kurihara, Yohei Nagahama, Daisuke Kobayshi, Hiroki Niikura, Yoshishige Tsuchiya, Hiroshi Mizuta, Hiroshi Nohira, Ken Uchida, Shunri Oda. Engineering of Heterostructured Tunnel Barrier for Non-Volatile Memory Applications: Potential of Pr-based Heterostructured Barrier as a Tunneling Oxide, IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop, June 2009.
• Y. Takamura, Y. Nagahama, A. Nishijima, R. Nakane, S. Sugahara. Formation of Si- and Ge-based Full-Heusler Alloy Thin Films Using SOI and GOI Substrates for the Half-Metallic Source and Drain of Spin Transistors, Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-State Science (PRiME2008), session E15-E23, paper 2480, Oct. 2008.
• Y. Takamura, A. Nishijima, Y. Nagahama, R. Nakane, S. Sugahara. Fabrication Technique of Si- and Ge-based Full-Heusler Alloys for Half-metallic Source/Drain Spin MOSFETs, The 4th Intl. Nanotechnology Conf. on Communication and Cooperation (INC4), The 4th Intl. Nanotechnology Conf. on Communication and Cooperation (INC4), paper P-19, Apr. 2008.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 高村陽太, 長浜陽平, 西島輝, 中根了昌, 宗片比呂夫, 菅原聡. RTAを用いて作製したフルホイスラー合金Co2FeSi、Co2FeGeの構造, 第55回応用物理学会関連連合講演会, 28a-F-4, Mar. 2008.  公式リンク  
  
• 高村陽太, 西島輝, 長浜陽平, 中根了昌, 宗片比呂夫, 菅原聡. Rapid Thermal Annealingを用いたフルホイスラー合金の作製と評価, 第12回半導体スピン工学の基礎と応用 (PASPS-12), P6, Dec. 2007.  公式リンク  
  
• 高村陽太, 長浜陽平, 中根了昌, 宗片比呂夫, 菅原聡. RTAを用いた非晶質絶縁膜上へのホイスラー合金の形成とその評価, 第68回応用物理学会学術講演会, 第68回応用物理学会学術講演会, 5a-S-1, Sept. 2007.  公式リンク  
  

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