論文

• Hayato Yoshida, Yusaku Shiotsu, Daiki Kitagata, Shuichiro Yamamoto, Satoshi Sugahara. Ultralow-Voltage Retention SRAM With a Power Gating Cell Architecture Using Header and Footer Power-Switches, IEEE Open Journal of Circuits and Systems, Vol. 2, pp. 520-533, Aug. 2021.
• Daiki Kitagata, Shuichiro Yamamoto, SATOSHI SUGAHARA. Proactive useless data flush architecture for nonvolatile SRAM using magnetic tunnel junctions, Feb. 2020.
• D. Kitagata, S. Yamamoto, S. Sugahara. Design and energy-efficient architectures for nonvolatile static random access memory using magnetic tunnel junctions, Jpn. J. Appl. Phys, Vol. 58, No. SB, pp. 1-10, Mar. 2019.

国際会議発表 (査読有り)

• D. Kitagata, S. Yamamoto, S. Sugahara. A New Store Energy and Latency Reduction Architecture for Nonvolatile SRAM Using STT-MTJs: Proactive Useless Data Flush Architecture, IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 2019 MRAM special session, Dec. 2019.
• D. Kitagata, S. Yamamoto, S. Sugahara. Design and Performance of Virtually Nonvolatile Retention Flip-Flop Using Dual-Mode Inverters, 2nd New Generation of Circuits & Systems Conference (NGCAS2018), pp. 182-185, Nov. 2018.
• Kitagata, H. Yoshida, S. Yamamoto, S. Sugahara. Virtually Nonvolatile Retention SRAM cell Using Dual-Mode Inverters, 2018 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S Conference 2018), Oct. 2018.
• D. Kitagata, S. Yamamoto, S. Sugahara. A New Architecture of Store Energy and Latency Reduction for Nonvolatile SRAM Based on Spintronics/CMOS-Hybrid Technology, 2018 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM2018), Sept. 2018.
• D. Kitagata, S. Yamamoto, S. Sugahara. Virtually Nonovolatile Retention Flip-Flop Using FinFET Technology, 2018 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW 2018), June 2018.
• D. Kitagata, S. Yamamoto, S. Sugahara. Hierarchical Store-Free Architecture for Nonvolatile SRAM Using STT-MTJs, IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) MRAM special session 2017, Dec. 2017.
• T. Akushichi, D. Kitagata, Y. Shuto, S. Sugahara. Analysis of Spin Accumulation in a Si Channel Using CoFe/MgO/Si Spin Injectors, Electron Device Technology and Manufacturing Conference, P-15, Feb. 2017.
• D. Kitagata, Y. Shuto, S. Yamamoto, S. Sugahara. Analysis of Break-Even Time for Nonvolatile SRAM with SOTB Technology, Electron Device Technology and Manufacturing Conference, 4B-5, Feb. 2017.
• D. Kitagata, T. Akushichi, Y. Takamura, Y. Shuto, S. Sugahara. Robust Design of Electric-field-assisted Nonlocal Si-MOS Spin-devices, 2016 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW 2016), P2-23, pp. 200-201, June 2016.
• T. Akushichi, D. Kitagata, Y. Takamura, Y. Shuto, S. Sugahara. Spin Accumulation in a Si Channel using High-Quality CoFe/MgO/Si Spin Injectors, 2016 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW 2016), P1-27, June 2016.
• D. Kitagata, T. Akushichi, Y. Takamura, Y. Shuto, S. Sugahara. Design and analysis of electric-field-assisted nonlocal silicon-channel spin devices, 2015 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW2015), June 2015.  公式リンク  
  

国内会議発表 (査読有り)

• 北形大樹, 山本修一郎, 菅原聡. 強磁性トンネル接合を用いた不揮発性SRAMの待機時電力削減能力, 第78回応用物理学会秋季学術講演会, Mar. 2017.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 北形大樹, 吉田隼, 塩津勇作, 山本修一郎, 菅原聡. 新型超低電圧リテンションSRAMセルの設計と解析, 第81回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2020.
• 瀧口憲一郎, 北形大樹, 松﨑翼, 山本修一郎, 菅原聡. 新型超低電圧リテンションFFの提案, 第81回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2020.
• 塩津勇作, 北形大樹, 山本修一郎, 菅原聡. 新型超低電圧リテンションSRAMマクロの設計と解析, 第81回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2020.
• 吉田隼, 北形大樹, 山本修一郎, 菅原聡. 各種リテンションSRAMのパワーゲーティングにおける電力削減効率に関する電源遮断可能時間分布の影響, 第81回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2020.
• 吉田隼, 北形大樹, 山本修一郎, 菅原聡. 新型擬似不揮発性SRAMセルの提案, Mar. 2020.
• 原拓実, 吉田隼, 北形大樹, 山本修一郎, 菅原聡. ニアスレッショルド電圧動作擬似不揮発SRAMセルの設計と解析, Mar. 2020.
• 瀧口憲一郎, 北形大樹, 松﨑翼, 山本修一郎, 菅原聡. 不揮発/擬似不揮発性FFを用いたパワーゲーティングの性能評価, Sept. 2019.
• 北形大樹, 山本修一郎, 菅原聡. NV-SRAMを用いたUseless dataの積極的破棄による不揮発性パワーゲーティング, 第80回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2019.
• 吉田隼, 北形大樹, 山本修一郎, 菅原聡. 不揮発/擬似不揮発記憶を用いたSRAMのパワーゲーティング性能, 第80回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2019.
• 原拓実, 吉田隼, 北形大樹, 山本修一郎, 菅原聡. 各種リテンション技術を用いたSRAMのパワーゲーティング性能, 第80回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2019.
• 吉田隼, 北形大樹, 山本修一郎, 菅原聡. デュアルパワースイッチを用いた擬似不揮発性SRAMの設計と解析, 第66回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2019.
• 北形大樹, 松﨑翼, 山本修一郎, 菅原聡. 擬似不揮発性FFの速度性能優先設計とその回路性能, 第66回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2019.
• 北形大樹, 松﨑翼, 山本修一郎, 菅原聡. 擬似不揮発性FFの速度性能優先設計とその回路性能, 第66回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2019.
• 吉田隼, 北形大樹, 山本修一郎, 菅原聡. デュアルモードインバータを用いた疑似不揮発性SRAMの設計と解析, 第79回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2018.
• 北形大樹, 山本修一郎, 菅原聡. デュアルモードインバータを用いた疑似不揮発性FFの設計と解析, 第79回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2018.
• 北形大樹, 山本修一郎, 菅原聡. 階層型ストアフリー電源遮断を用いた不揮発性SRAMのエネルギー性能, 第65回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2018.
• 北形大樹, 周藤悠介, 山本修一郎, 菅原聡. 不揮発性SRAMのアーキテクチャとエネルギー性能, 電子情報通信学会集積回路研究会, 電子情報通信学会技術研究報告, Vol. 117, No. 9, pp. 51-56, Apr. 2017.
• 北形大樹, 周藤悠介, 山本修一郎, 菅原聡. 不揮発性SRAMの設計とエネルギー性能の解析, 第64回応用物理学会春季学術講演会, 16a-412-7, Mar. 2017.
• 北形大樹, 悪七泰樹, 菅原聡. 電界アシスト4端子非局所MOSデバイスの解析と設計, 第21回スピン工学の基礎と応用 (PASPS-21), E-3, Dec. 2016.

学位論文

• 不揮発/擬似不揮発記憶を用いたCMOSロジックの低消費電力技術に関する研究,  審査の要旨,  博士(工学),  東京工業大学,  2020/03/26,   
• 不揮発/擬似不揮発記憶を用いたCMOSロジックの低消費電力技術に関する研究,  論文要旨,  博士(工学),  東京工業大学,  2020/03/26,   
• 不揮発/擬似不揮発記憶を用いたCMOSロジックの低消費電力技術に関する研究,  本文,  博士(工学),  東京工業大学,  2020/03/26,   

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