論文

• K. Fukuda, N. Nogami, S. Kunisada, Y. Miyamoto. Circuit speedoriented device design scheme for GaAsSb / InGaAs double gatehetero-junction tunnel FETs, Jpn. J. Appl. Phys., 59, SGGA06 (2020), Feb. 2020.  公式リンク  
  

国際会議発表 (査読有り)

• K. Fukuda, N. Nogami, S. Kunisada, Y. Miyamoto. Circuit speedoriented device design scheme for double gate hetero tunnel FETs, 2019 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM 2019), PS-1-21(LN),, Sept. 2019.
• Shouhei Moriwaki, Minoru Saito, Syougo Kunisada, Tomoyuki Miyamoto. Characterization of ion implantation quantum well intermixing for carrier confinement of VCSEL, 20th Microoptics Conference (MOC'15), Oct. 2015.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 國貞 彰吾, 福田 浩一, 宮本 恭幸. GaAsSb/InGaAsダブルゲートTunnel FETにおける量子効果の検討‐正孔バンドの取り扱い, 第65回応用物理学会春季学術講演会, 18a-G203-7, Mar. 2018.
• 國貞 彰吾, 福田 浩一, 宮本 恭幸. [8a-C18-3] InGaAs/GaAsSbダブルゲートTunnel FETにおける量子効果の影響, 第78回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2017.
• 森脇翔平, 齋藤季, 國貞彰吾, 宮本智之. VCSELのキャリア閉じ込め応用に向けたイオン注入混晶化法の評価, 第76回応用物理学会学術講演会, Sept. 2015.

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