論文

• Takahiko Shindo, Mitsuaki Futami, Tadashi Okumura, Ryo Osabe, Takayuki Koguchi, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Lateral-Current-Injection Type Membrane DFB Laser With Surface Grating, IEEE Photonics Technol. Lett., Vol. 25, No. 13, pp. 1282-1285, July 2013.  公式リンク  
  
• Yuusuke Hayashi, Ryou Osabe, Keita Fukuda, Yuki Atsumi, JoonHyun Kang, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Low Threshold Current Density Operation of a GaInAsP/Si Hybrid Laser Prepared by Low-Temperature N2 Plasma Activated Bonding, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 52, No. 6, p. 060202, June 2013.  公式リンク  
  
• Takahiko Shindou, Tadashi Okumura, Hitomi Ito, Takayuki Koguchi, Daisuke Takahashi, Yuki Atsumi, JoonHyun Kang, Ryou Osabe, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Lateral-Current-Injection Distributed Feedback Laser with Surface Grating Structure, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron., Vol. 17, No. 5, pp. 1175 - 1182, Sept. 2011.  公式リンク  
  
• Ryo Osabe, Tadashi Okumura, Simon Kondo, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Bonding and Photoluminescence Characteristics of GaInAsP/InP Membrane Structure on Silicon-on-Insulator Waveguides by Surface Activated Bonding, Japanase Journal of Applied Physics, Vol. 50, No. 8, p. 088005, Aug. 2011.
• Takahiko Shindou, Tadashi Okumura, Hitomi Ito, Takayuki Koguchi, Daisuke Takahashi, Yuki Atsumi, JoonHyun Kang, Ryou Osabe, Tomohiro Amemiya, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. GaInAsP/InP lateral-current-injection distributed feedback laser with a-Si surface grating, Opt. Express, Vol. 19, No. 3, pp. 1884–1891, Jan. 2011.  公式リンク  
  

国際会議発表 (査読有り)

• Yuusuke Hayashi, Keita Fukuda, Ryo Osabe, Jun-ichi Suzuki, Yuki Atsumi, JoonHyun Kang, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Design of Multi-Functional GaInAsP/Si Hybrid Semiconductor Optical Amplifier Array with AlInAs-Oxide Current Confinement Layer, IPRM-2013, May 2013.  公式リンク  
  
• Yuusuke Hayashi, Ryou Osabe, Keita Fukuda, Yuki Atsumi, JoonHyun Kang, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. GaInAsP/SOI Hybrid Laser by N2 Plasma Activated Low Temperature Bonding, The 2nd International Symposium on Photonics and Electronics Convergence -Advanced Nanophotonics and Silicon Device Systems- (ISPEC2012), Dec. 2012.  公式リンク  
  
• Yuusuke HAYASHI, Ryo OSABE, Keita FUKUDA, Nobuhiko NISHIYAMA, Shigehisa ARAI.. GaInAsP/Si Hybrid Fabry-Perot Laser using N2 Plasma Activated Low Temperature Bonding, 2012 IEEE Photonics Conference, No. ThO 4, Sept. 2012.
• Yusuke HAYASHI, Ryo OSABE, Keita FUKUDA, Nobuhiko NISHIYAMA, Shigehisa ARAI.. AlInAs Selective Oxidation for GaInAsP/Si Hybrid Semiconductor Laserusing Surface Activated Bonding, 2012 3rd IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration, pp. 93-94, May 2012.
• T. Shindo, Mitsuaki Futami, Ryou Osabe, Takayuki Koguchi, T. Amemiya, N. Nishiyama, S. Arai. Lateral Current Injection Laser with Uniformly Distributed Quantum-Well Structure, 2011 IEEE Photonics Conference (IPC-2011), No. ThC3, Oct. 2011.  公式リンク  
  
• Mitsuaki Futami, T. Shindo, Tadashi Okumura, Ryou Osabe, Daisuke Takahashi, Takayuki Koguchi, T. Amemiya, N. Nishiyama, S. Arai. Stripe Width Dependence of Internal Quantum Efficiency and Carrier Injection Delay in Lateral Current Injection GaInAsP/InP Lasers, The 16th Opto-Electronics and Communication Conference (OECC-2011), No. 7D2-2, July 2011.  公式リンク  
  
• T. Shindo, Mitsuaki Futami, Tadashi Okumura, Ryou Osabe, Takayuki Koguchi, T. Amemiya, N. Nishiyama, S. Arai. Lasing Operation of Lateral-Current-Injection Membrane DFB Laser with Surface Grating, The 16th Opto-Electronics and Communication Conference, No. 6D3-7, July 2011.  公式リンク  
  
• T. Shindo, Tadashi Okumura, Mitsuaki Futami, Ryou Osabe, Takayuki Koguchi, T. Amemiya, N. Nishiyama, S. Arai. Lateral Current Injection Distributed Feedback Laser with Wirelike Active Regions, The 23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM-2011), No. Tu5.2-3, May 2011.  公式リンク  
  
• Takahiko Shindou, Tadashi Okumura, Hitomi Ito, Takayuki Koguchi, Daisuke Takahashi, Yuki Atsumi, JoonHyun Kang, Ryou Osabe, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Lateral Current Injection Type GaInAsP/InP DFB Laser with a-Si Surface Grating, The 23rd Annual Meeting of the IEEE Photonics Society, Vol. Denver, USA, No. ThR 4, Nov. 2010.
• Shimon Kondo, Tadashi Okumura, Ryo Osabe, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI. Investigation of Bonding Strength and Photoluminescence Properties of InP/Si Surface Activated Bonding, International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, The 22th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2010), No. WeP28, May 2010.
• Ryo Osabe, Tadashi Okumura, Simon Kondo, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Stabilization on Fabrication of GaInAsP/InP Membrane Structure on SOI waveguide by Surface Activated Bonding, The 37th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2010)., Vol. Kagawa, Japan, No. FrP23, May 2010.

国際会議発表 (査読なし・不明)

• Keita Fukuda, Ryo Osabe, Yuki Atsumi, Nobuhiko Nishiyama, Shigehisa Arai. Design of Multi-functional GaInAsP/Si Hybrid Semiconductor Opti, ISPEC2011, Nov. 2011.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 林侑介, 長部亮, 福田渓太, 鈴木純一, 渥美裕樹, 姜晙炫, 西山伸彦, 荒井滋久. 窒素プラズマ活性化を用いたIII-V/Si直接貼付とそのハイブリッドレーザへの応用, レーザ・量子エレクトロニクス研究会, Dec. 2012.
• 福田渓太, 長部亮, 林侑介, 渥美裕樹, 西山伸彦, 荒井滋久. AlInAs酸化狭窄層を有するGaInAsP/SiハイブリッドSOA多機能集積のための構造設計, 電子情報通信学会 2012年ソサイエティ大会, 電子情報通信学会 2012年ソサイエティ大会, 富山 C-3-62, Sept. 2012.
• 林 侑介, 長部 亮, 福田 渓太, 渥美 裕樹, 姜 晙炫, 西山 伸彦, 荒井 滋久.. 表面活性化接合を用いたGaInAsP/Siハイブリッドファブリペローレーザ, 第73回応用物理学会学術講演, No. 12a-C6-8, Sept. 2012.
• 林侑介, 長部亮, 福田渓太, 西山伸彦, 荒井滋久.. Si導波路を用いた波長フィルタを有するAlInAs酸化狭窄型GaInAsP/Siハイブリッドレーザの検討, 光エレクトロニクス研究会(OPE), 電子情報通信学会, Apr. 2012.
• 長部亮, 福田渓太, 林侑介, 西山伸彦, 荒井滋久. 表面活性化接合によるAlInAs酸化狭窄型GaInAsP/Siハイブリッドレーザの検討, レーザ・量子エレクトロニクス研究会, Dec. 2011.
• 長部亮, 福田渓太, 林侑介, 西山伸彦, 荒井滋久. 表面活性化接合法によるAlInAs酸化狭窄型GaInAsP/SOIハイブリッドレーザの検討, シリコン・フォトニクス研究会, Nov. 2011.
• 進藤隆彦, 二見充輝, 長部亮, 小口貴之, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久. 表面回折格子を有する横方向電流注入型メンブレンDFBレーザ, 第72回秋季応用物理学会学術講演会, Vol. 山形, No. 1p-ZL-3, Sept. 2011.
• 二見充輝, 進藤隆彦, 長部亮, 小口貴之, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久. 横方向電流注入型レーザにおける内部量子効率の量子井戸構造依存性, 第72回秋季応用物理学会学術講演会, Vol. 山形, No. 1p-ZL-2, Sept. 2011.
• 福田 渓太, 渥美 裕樹, 長部 亮, 西山 伸彦, 荒井 滋久. Si導波路幅の制御によるGaInAsP/SiハイブリッドSOA 多機能集積のための設計, 2011年秋季 第72回 応用物理学会学術講演会, July 2011.
• 長部 亮, 福田 渓太, 白尾 瑞基, 西山 伸彦, 荒井 滋久. AlInAs酸化狭窄層を有するGaInAsP/InP-Siハイブリッドレーザの構造設計, 第72回応用物理学会学術講演, Vol. 長崎, No. 1p-ZL-1, June 2011.
• 二見充輝, 進藤隆彦, 奥村忠嗣, 長部亮, 伊藤瞳, 小口貴之, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久. 細線状活性層を有するGaInAsP/InP横方向電流注入型DFBレーザ, 第58回応用物理学関係連合講演会, 第58回応用物理学関係連合講演会, Vol. 神奈川, No. 26a-P5-16, Mar. 2011.
• 進藤隆彦, 奥村忠嗣, 二見充輝, 長部亮, 高橋大佑, 伊藤瞳, 小口貴之, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久. 横方向電流注入型レーザにおける発振特性のストライプ幅依存性, 第58回応用物理学関係連合講演会, Vol. 神奈川, No. 26a-P5-17, Mar. 2011.
• 進藤隆彦, 奥村忠嗣, 伊藤瞳, 小口貴之, 高橋大佑, 渥美裕樹, 姜晙炫, 長部亮, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久. a-Si表面回折格子を有する1550nm波長帯横方向電流注入型DFBレーザ, 電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会, IEICE Technical Report, Vol. 110, No. 353, 17-22, Dec. 2010.
• 進藤隆彦, 奥村忠嗣, 伊藤瞳, 小口貴之, 渥美裕樹, 姜晙炫, 長部亮, 西山伸彦, 荒井滋久. a-Si表面回折格子を用いた横方向電流注入型DFBレーザ, 第71回応用物理学会学術講演, Vol. 長崎, No. 16p-H-11, Sept. 2010.
• 長部亮, 奥村忠嗣, 近藤志文, 西山伸彦, 荒井滋久. 表面活性化接合法によるSOI導波路上GaInAsP薄膜構造の形成, 第71回応用物理学会学術講演, Vol. 長崎, No. 14p-G-15, Sept. 2010.
• 西山伸彦, 荒井滋久, 奥村忠嗣, 伊藤 瞳, 榎本晴基, 近藤志文, 前田泰奈, 長部 亮, 雨宮智宏. Si/III-Vハイブリッド光デバイスと関連技術, 日本学術振興会半導体界面制御技術第１５４委員会研究会, 日本学術振興会半導体界面制御技術第１５４委員会, 日本学術振興会, Vol. 68, May 2010.
• 近藤志文, 奥村忠嗣, 長部亮, 西山伸彦, 荒井滋久. 表面活性化貼付法を用いたInP/Si接合とフォトルミネッセンス特性, 第57回春季応用物理学会学術講演会, 第57回春季応用物理学会学術講演会, Vol. 神奈川, No. 17p-P3-13, Mar. 2010.
• 近藤志文, 奥村忠嗣, 長部 亮, 西山伸彦, 荒井滋久. 表面活性化接合によるInP/Si接合とフォトルミネセンス特性評価, 第１２回シリコンフォトニクス研究会, Vol. 東京大学本郷キャンパス, No. SIPH2009-P11, Dec. 2009.

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