論文

• E.Tokumitsu, Y.Takano, H.Shibata, H.Saiki. Fabrication and Characterization of M-I-FIS ferroelectric-gate structures using HfAlOx buffer layer, Journal of Microelectronic Engineering, Vol. 84, pp. 2018-2021, June 2007.

国際会議発表 (査読有り)

• Eisuke Tokumitsu, Etsu Shin, Hiroshi Shibata. Asymmetry of switching time in oxide-channel ferroelectric-gate thin film transistors, E-MRS 2013 SPRING MEETING, May 2013.
• E.Tokumitsu, H.Shibata, M.Senoo. Nonvolatile memory operetaion of ferroelectric-gate thin film transistors using oxide channel, the 14th International Workshop on Oxide Electronics(WOE14), No. PⅡ-06-124, Oct. 2007.

国内会議発表 (査読有り)

• 柴田宏, 大岩朝洋, 徳光永輔. 酸化物チャネル強誘電体ゲート不揮発性メモリ素子の作製と評価, 信学技報、SDM2007-274(2008-03), 電子情報通信学会, Vol. 107, No. 549, pp. 7-12, Mar. 2008.
• 柴田宏, 大岩朝洋, 徳光永輔. 酸化物チャネル強誘電体ゲートトランジスタにおけるメモリ特性, 電子情報通信学会2008年総合大会, Mar. 2008.
• 高野 友一, 斎木博和, 柴田宏, 徳光永輔. 金属／絶縁体／強誘電体／絶縁体／半導体構造（M-I-FIS構造）キャパシタの作製と評価, 第54回応用物理学関係連合講演会, No. 29a-SV-4, Mar. 2007.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 徳光永輔, 柴田宏, 大岩朝洋, 近藤洋平. 強誘電体および高誘電率材料をゲート絶縁膜に用いた酸化物チャネル薄膜トランジスタ, 信学技報、SDM2008-11、OME2008-11(2008-4), 電子情報通信学会, Vol. 108, No. 1, pp. 51-56, Apr. 2008.
• 柴田宏, 大岩朝洋, 徳光永輔. 酸化物半導体InGaZnO膜の強誘電体ゲート薄膜トランジスタへの適用, 第５５回 応用物理学関係連合会講演会, 第５５回 応用物理学関係連合会講演会 講演予稿集, No. 30a-P14-29, Mar. 2008.

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