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谷川晴紀 研究業績一覧 (13件)
論文
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Satoshi Igarashi,
Yusuke Mochiduki,
Haruki Tanigawa,
Masaya Hamada,
Kentaro Matsuura,
Iriya Muneta,
Kuniyuki Kakushima,
Kazuo Tsutsui,
Hitoshi Wakabayashi.
Self-Aligned-TiSi2 Bottom Contact with APM Cleaning and Post-annealing for Sputtered-MoS2 Film,
Japanese Journal of Applied Physics (JJAP) （SSDM特集号）,
Vol. 60,
Page SBBH04,
Jan. 2021.
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Masaya Hamada,
Kentaro Matsuura,
Takuro Sakamoto,
Haruki Tanigawa,
Iriya Muneta,
Takuya Hoshii,
Kuniyuki Kakushima,
Kazuo Tsutsui,
Hitoshi Wakabayashi.
Hall-Effect Mobility Enhancement of Sputtered MoS2 Film by Sulfurization even through Al2O3 Passivation Film Simultaneously Preventing Oxidation,
Japanese Journal of Applied Physics (JJAP),
Vol. 59,
No. 10,
Page 105501,
Sept. 2020.
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Kentaro Matsuura,
Masaya Hamada,
Takuya Hamada,
Haruki Tanigawa,
Takuro Sakamoto,
Atsushi Hori,
Iriya Muneta,
Takamasa Kawanago,
Kuniyuki Kakushima,
Kazuo.
Normally-off sputtered-MoS2 nMISFETs with TiN top-gate electrode all defined by optical lithography for chip-level integration,
Japanese Journal of Applied Physics (JJAP) (Rapid Communication),
Vol. 59,
No. 8,
Page 80906,
Aug. 2020.
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Haruki Tanigawa,
Kentaro Matsuura,
Iriya Muneta,
Takuya Hoshii,
Kuniyuki Kakushima,
Kazuo Tsutsui,
Hitoshi Wakabayashi.
Enhancement-Mode Accumulation Capacitance-Voltage Characteristics in TiN/ALD-Al2O3/Sputtered-MoS2 Top-Gated Stacks,
Japanese Journal of Applied Physics (JJAP),
Vol. 59,
Apr. 2020.
国際会議発表 (査読有り)
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Satoshi Igarashi,
Yusuke Mochiduki,
Haruki Tanigawa,
Masaya Hamada,
Kentaro Matsuura,
Iriya Muneta,
Kuniyuki Kakushima,
Kazuo Tsutsui,
Hitoshi Wakabayashi.
Low Contact Resistance at Interface between Sputtered-MoS2 Film and TiSi2 Contact Treated by Higher-Temperature Forming-Gas Annealing,
International Conference of Solid State Devices and Materials (SSDM) 2020,
Sept. 2020.
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H. Tanigawa,
K. Matsuura,
I. Muneta,
T. Hoshii,
K. Kakushima,
K. Tsutsui,
H. Wakabayashi.
Positive Threshold Voltage in Accumulation Capacitance of TiN-Top-Gate/High-k/Sputtered-MoS2 Stacks,
Int. Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices -Science and Technology- (IWDTF2019),
Nov. 2019.
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K. Matsuura,
M. Hamada,
T. Hamada,
H. Tanigawa,
T. Sakamoto,
W. Cao,
K. Parto,
A. Hori,
I. Muneta,
T. Kawanago,
K. Kakushima,
K. Tsutsui,
A. Ogura,
K. Banerjee,
H. Wakabayashi.
Normally-Off Sputtered-MoS2 nMISFETs with MoSi2 Contact by Sulfur Powder Annealing and ALD Al2O3 Gate Dielectric for Chip Level Integration,
Int. Workshop on Juction Technology (IWJT2019),
June 2019.
国内会議発表 (査読なし・不明)
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松浦 賢太朗,
濱田 昌也,
濱田 拓也,
谷川 晴紀,
坂本 拓朗,
堀 敦,
宗田 伊理也,
川那子 高暢,
角嶋 邦之,
筒井 一生,
小椋 厚志,
若林 整.
大面積集積化に向けたスパッタ堆積ノーマリーオフMoS2-nMISFETs,
第67回応用物理学会春期学術講演会,
Mar. 2020.
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谷川 晴紀,
松浦 賢太朗,
宗田 伊理也,
星井 拓也,
角嶋 邦之,
筒井 一生,
若林 整.
正の閾値電圧のMetal-Top-Gate/High-k/スパッタMoS2の蓄積容量特性,
第80回応用物理学会秋季学術講演会,
Sept. 2019.
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五十嵐 智,
望月 祐輔,
谷川 晴紀,
濱田 昌也,
松浦 賢太朗,
角嶋 邦之,
筒井 一生,
若林 整.
スパッタMoS2膜とTiSi2膜の界面におけるFGアニールによるコンタクト抵抗低減,
第80回応用物理学会秋季学術講演会,
Sept. 2019.
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松浦 賢太朗,
濱田 昌也,
坂本 拓朗,
谷川 晴紀,
宗田 伊理也,
石原 聖也,
角嶋 邦之,
筒井 一生,
小椋 厚志,
若林 整.
F.G.アニールによるMoSi2/スパッタMoS2界面コンタクト抵抗低減,
第66回応用物理学会春期学術講演会,
Mar. 2019.
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谷川 晴紀,
松浦 賢太朗,
濱田 昌也,
坂本 拓朗,
宗田 伊理也,
星井 拓也,
角嶋 邦之,
筒井 一生,
若林 整.
スパッタMoS2膜の HfO2膜越し硫化における表面残留硫黄除去,
第79回応用物理学会秋季学術講演会,
Sept. 2018.
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五十嵐 智,
松浦 賢太朗,
濱田 昌也,
谷川 晴紀,
坂本 拓朗,
宗田 伊理也,
角嶋 邦之,
筒井 一生,
若林 整.
保護膜を通したフォーミングガスアニールによるスパッタMoS2 膜の結晶性改善,
第79回応用物理学会秋季学術講演会,
Sept. 2018.
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