論文

• Takushi Iimori, Toshio Miyamachi, Takashi Kajiwara, Kazuhiko Mase, Satoru Tanaka, Fumio Komori, Kan Nakatsuji. Width-dependent band gap of arm-chair graphene nanoribbons formed on vicinal SiC substrates by MBE, Journal of Physics: Condensed Matter, Vol. 35, pp. 455002, Aug. 2023.
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• Yusaku Yoshiike, Hiroyuki Fukumoto, Ikuya Kokubo, Yuki Aoki, Kan Nakatsuji, Hiroyuki Hirayama. Regular ripples at the surfaces of heteroepitaxially grown Ag(111) ultra-thin films on Si(111) root 3 x root 3-B substrates, Applied Physics Letters, Vol. 104, No. 19, pp. 191605, May 2014.  公式リンク  
  
• Y. Yoshiike, H. Fukumoto, I. Kokubo, Y. Aoki, K. Nakatsuji, H. Hirayama. Regular ripples at the surfaces of heteroepitaxialy grown Ag(111) ultra-thin films on Si(111)√3x√3-B substrates, Applied Physics Letters, Vol. 104, pp. 191605(1)-(4), Feb. 2014.
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• Hiroyuki Fukumoto, Masaru Miyazaki, Yuki Aoki, Kan Nakatsuji, Hiroyuki Hirayama. Initial stage of Ag growth on Bi/Ag(111)root 3 x root 3 surfaces, Surface Science, Vol. 611, pp. 49-53, May 2013.  公式リンク  
  
• Takashi Kajiwara, Yuzuru Nakamori, Anton Visikovskiy, Takushi Iimori, Fumio Komori, Kan Nakatsuji, Kazuhiko Mase, Satoru Tanaka. Graphene nanoribbons on vicinal SiC surfaces by molecular beam epitaxy (vol 87, 121407, 2013), Physical Review B, Vol. 87, No. 15, pp. 159907, Apr. 2013.  公式リンク  
  
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• F. Komori, S. Y. Ohno, K. Nakatsuji. Lattice deformation and strain-dependent atom processes at nitrogen-modified Cu(001) surfaces, Prog. Surf. Sci., Vol. 77, pp. 1-36, 2004.  公式リンク  
  
• S. Ohno, K. Nakatsuji, F. Komori. Growth mechanism of Fe nanoisland array on Cu(001)-c(2 x 2)N surfaces, Surf. Sci., Vol. 523, pp. 189-198, 2003.  公式リンク  
  
• S. Y. Ohno, K. Yagyuu, K. Nakatsuji, F. Komori. Distribution of lattice-strain on partly nitrogen-covered Cu(001) surfaces, Surf. Sci., Vol. 547, pp. L871-L876, 2003.  公式リンク  
  
• Y. Takagi, Y. Yoshimoto, K. Nakatsuji, F. Komori. Local and reversible change of the reconstruction on Ge(001) surface between c(4 x 2) and p(2 x 2) by scanning tunneling microscopy, J. Phys. Soc. Jpn., Vol. 72, pp. 2425-2428, 2003.  公式リンク  
  
• S. Ohno, K. Nakatsuji, F. Komori. Initial growth of Fe nano-islands on Cu(001)-c(2 x 2)N surfaces, Jpn. J. Appl. Phys. Part 1 - Regul. Pap. Short Notes Rev. Pap., Vol. 42, pp. 4701-4705, 2003.  公式リンク  
  
• H. Miyaoka, G. Mizutani, H. Sano, M. Omote, K. Nakatsuji, F. Komori. Anomalous electro-migration of oxygen vacancies in reduced TiO2, Solid State Commun., Vol. 123, pp. 399-404, 2002.  公式リンク  
  
• S. Ohno, K. Yagyuu, K. Nakatsuji, F. Komori. One-dimensional self-organized patterns on vicinal Cu(001)-c(2 x 2)N surfaces, Jpn. J. Appl. Phys. Part 2 - Lett., Vol. 41, pp. L1243-L1246, 2002.  公式リンク  
  
• Y. Naitoh, K. Nakatsuji, F. Komori. Formation process of very thin Ag structures on Ge(001) surface below RT, Surf. Sci., Vol. 513, pp. 1-8, 2002.  公式リンク  
  
• Y. Naitoh, K. Nakatsuji, F. Komori. Correlated motion of small Ag clusters and Ge dimer-buckling on Ge(001), J. Chem. Phys., Vol. 117, pp. 2832-2835, 2002.  公式リンク  
  
• F. Komori, S. Ohno, K. Nakatsuji. Arrays of magnetic nanodots on nitrogen-modified Cu(001) surfaces, J. Phys.-Condes. Matter, Vol. 14, pp. 8177-8197, 2002.  公式リンク  
  
• Y. Q. Cai, K. Nakatsuji, S. Ohno, T. Iimori, M. Yamada, F. Komori. Direct evidence for itinerant magnetite above and below the Verwey transition temperature, Surf. Rev. Lett., Vol. 9, pp. 907-912, 2002.  公式リンク  
  
• F. Komori, K. D. Lee, K. Nakatsuji, T. Iimori, Y. Q. Cai. Growth and magnetism of Co nanometer-scale dots squarely arranged on a Cu(001)-c(2X2)N surface, Phys. Rev. B, Vol. 63, pp. 8, 2001.  公式リンク  
  
• F. Komori, K. Nakatsuji. Quantized conductance through iron point contacts, Mater. Sci. Eng. B-Solid State Mater. Adv. Technol., Vol. 84, pp. 102-106, 2001.  公式リンク  
  
• S. Ohno, K. Nakatsuji, F. Komori. Growth of ferromagnetic dot arrays on Cu(001)-c(2 x 2)N surfaces, Surf. Sci., Vol. 493, pp. 539-546, 2001.  公式リンク  
  
• H. Daimon, M. Kotsugi, K. Nakatsuji, T. Okuda, K. Hattori. Deduction of atomic orbitals in a valence band by two-dimensional angular distribution of photoelectrons, Surf. Sci., Vol. 438, pp. 214-222, 1999.  公式リンク  
  
• T. Nakayama, J. Onoe, K. Nakatsuji, J. Nakamura, K. Takeuchi, M. Aono. Photoinduced products in a C-60 monolayer on Si(111)(root 3x root 3)-Ag: An STM study, Surf. Rev. Lett., Vol. 6, pp. 1073-1078, 1999.  公式リンク  
  
• F. Komori, K. Nakatsuji. Quantized conductance through atomic-sized iron contacts at 4.2 K, J. Phys. Soc. Jpn., Vol. 68, pp. 3786-3789, 1999.  公式リンク  
  
• T. Okuda, M. Kotsugi, K. Nakatsuji, M. Fujikawa, S. Suga, Y. Tezuka, S. Shin, M. Kasai, Y. Tokura, H. Daimon. Symmetry analysis of the Fermi surface states of Sr2RuO4 by display-type photoelectron spectroscopy, J. Phys. Soc. Jpn., Vol. 68, pp. 1398-1403, 1999.  公式リンク  
  
• T. Okuda, K. Nakatsuji, S. Suga, Y. Tezuka, S. Shin, H. Daimon. Two-dimensional band mapping of 2H-TaSe2 using a display-type photoelectron spectrometer, J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom., Vol. 101, pp. 355-360, 1999.  公式リンク  
  
• P. Rennert, A. Chasse, T. Nakatani, K. Nakatsuji, H. Daimon, S. Suga. Dichroism in core photoelectron diffraction spectra of Si(001) and dependence on the photon polarization, J. Phys. Soc. Jpn., Vol. 66, pp. 396-400, 1997.  公式リンク  
  
• T. Yonezawa, H. Daimon, K. Nakatsuji, K. Sakamoto, S. Suga. Energy barrier for ion desorption due to discrete surface dipoles, Surf. Sci., Vol. 365, pp. 489-494, 1996.  公式リンク  
  
• K. Sakamoto, K. Nakatsuji, H. Daimon, T. Yonezawa, S. Suga, H. Namba, T. Ohta. Electron-and photon-stimulated desorption of the NO/Si(111) surface, Surf. Sci., Vol. 359, pp. 147-154, 1996.  公式リンク  
  
• K. Sakamoto, K. Nakatsuji, H. Daimon, T. Yonezawa, S. Suga, H. Namba, T. Ohta. Photon-stimulated desorption study of the NO/Si(111) surface, J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom., Vol. 80, pp. 125-128, 1996.  公式リンク  
  
• K. Sakamoto, K. Nakatsuji, H. Daimon, T. Yonezawa, S. Suga. ELECTRON-STIMULATED DESORPTION (ESD) OF THE O2 SI(111) SURFACE, Surf. Sci., Vol. 306, pp. 93-98, 1994.  公式リンク  
  
• T. Yonezawa, H. Daimon, K. Nakatsuji, K. Sakamoto, S. Suga, H. Namba, T. Ohta. PHOTON-STIMULATED DESORPTION MECHANISM OF CL+ IONS FROM CL/SI(111) SURFACE, Jpn. J. Appl. Phys. Part 1 - Regul. Pap. Short Notes Rev. Pap., Vol. 33, pp. 2248-2251, 1994.  公式リンク  
  
• T. Yonezawa, H. Daimon, K. Nakatsuji, K. Sakamoto, S. Suga. ADSORPTION AND DESORPTION PROCESSES OF CL ON A SI(111) 7X7 SURFACE, Appl. Surf. Sci., Vol. 80, pp. 95-99, 1994.  公式リンク  
  

国際会議発表 (査読有り)

• Insung Seo, Kan Nakatsuji, Hiroyuki Hirayama, Yoshihiro Gohda. Electronic structure and interactions of In thin film on Si(111)√3×√3-B, 14th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices '22, Oct. 2022.
• Insung Seo, Kan Nakatsuji, Hiroyuki Hirayama, Yoshihiro Gohda. Interfacial Structures of In Double Layers on Si(111)√3×√3-B Substrates, The 22nd International Vacuum Congress, Sept. 2022.
• Insung Seo, Kan Nakatsuji, Hiroyuki Hirayama, Yoshihiro Gohda. Electronic structure of In ultrathin films adsorbed on Si(111)√3×√3-B surfaces, European Conference on Surface Science 35, Aug. 2022.
• Insung Seo, Kan Nakatsuji, Hiroyuki Hirayama, Yoshihiro Gohda. Structural and Electronic Properties of In Double Layers on Si(111)√3×√3-B, The 2022 MRS Spring Meeting, May 2022.
• I. Seo, K. Nakatsuji, H. Hirayama, Y. Gohda. First-principles study of In double layers on Si(111) √3 × √3 -B substrates, The 9th International Symposium on Surface Science, Dec. 2021.
• Maimi Shimura, Ryota Ushioda, Kan Nakatsuji, Hiroyuki Hirayama. Nucleation of ultrathin Bi(110) film on the Si(111)√3×√3-B substrate in the two step growth, The 9th International Symposium on Surface Science (ISSS9), Nov. 2021.
• Taiga Kasai, Tsuyoshi Yamagami, Kan Nakatsuji, Hiroyuki Hirayama. STM observation of Bi-intercalated graphene/Bi/Cu(111), The 9th International Symposium on Surface Science (ISSS9), Nov. 2021.
• Naoki Sasagawa, Ryota Ushioda, Kan Nakatsuji, Hiroyuki Hirayama. Structure of Bi(111) terraces nucleated on the Bi(110) island, The 9th International Symposium on Surface Science (ISSS9), Nov. 2021.
• Kei Nagatomo, N. Morii, K. Takemura, T. Iimori, F. Komori, H. Hirayama, K. Nakatsuji. Electronic structure of PdCu surface alloy, 13th International Symposium on Atomic Level Characterization for New Materials and Devices (ALC’21), Oct. 2021.
• T. Ouchi, L. Nakamura, K. Takemura, M. Shimura, R. Ushioda, T. Iimori, F. Komori, H. Hirayama, K. Nakatsuji. Electronic structure of Bi(110) ultra-thin films grown on n-type Si(111)√3×√3-B substrates, 13th International Symposium on Atomic Level Characterization for New Materials and Devices (ALC’21), Oct. 2021.
• N. Morii, K. Nagatomo, K. Takemura, T. Ouchi, H. Uryu, S. Nagao, R. Kawazoe, T. Iimori, F. Komori, H. Hirayama, K. Nakatsuji. Electronic structure of Cu(001)c(4×2)-Bi surface, 13th International Symposium on Atomic Level Characterization for New Materials and Devices (ALC’21), Oct. 2021.
• K. Nagase, S. Yamazaki, K. Nakatsuji, H. Hirayama. Structural change of Bi ultrathin films in the two-step growth on Si(111)√3 x √3-B substrates, 12th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices (ALC-19), Oct. 2019.
• T. Yamagami, S. Yotsutani, S. Yamazaki, K. Nakatsuji, H. Hirayama. Characterization of Mono- and multilayer hexagonal Boron Nitride on Cu (111) substrate, 12th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices (ALC-19), Oct. 2019.
• T. Ogino, S. Yamazaki, K. Nakatsuji, H. Hirayama. Suppression of Metal-Insulator Transition by Electron Doping from Substrates to Indium Atomic Wires: Si(111)4×1-In, 14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-14), Oct. 2018.
• K. Nagase, I. Kokubo, S. Yamazaki, K. Nakatsuji, H. Hirayama. Atomic Structure and Growth of Bi(110) Islands on Si(111)Root3×Root3-B Substrates, 14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-14), Oct. 2018.
• K. Nakatsuji, Y. Shimokawa, T. Fujiwara, K. Nagase, S. Yamazaki, Y. Watanabe, K. Mase, K. Takahashi, H. Hirayama. Electronic Structure of Bi(110) Islands Grown on a Si(111)Root3×Root3-B Substrate, 14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-14), Oct. 2018.
• K. Nagase, S. Yamazaki, K. Nakatsuji, H. Hirayama. Even-odd-parity and electronic structure of Bi(110) ultra-thin films, The 8th International Symposium on Surface Science (ISSS-8), Oct. 2017.
• K. Sugawara, K. Nagase, S. Yamazaki, K. Nakatsuji, H. Hirayama. Interaction of Image-Potential States with Quantum-Well State in Ultra-thin Ag(111) films on Si(111)Root3xRoot3-B substrate, The 8th International Symposium on Surface Science (ISSS-8), Oct. 2017.
• Y. Shimokawa, T. Fujiwara, K. Nagase, S. Yamazaki, Y. Watanabe, M. Nakatake, K. Mase, K. Takahashi, K. Nakatsuji, H. Hirayama. Electronic structure of Bi(110) ultra-thin films grown on Si(111)Root3×Root3-B surfaces, The 8th International Symposium on Surface Science (ISSS-8), Oct. 2017.
• T.Ogino, S. Yamazaki, K. Nakatsuji, H. Hirayama. Electron doping induced control of Metal-Insulator transition on Si(111)4x1-In surface, The 8th International Symposium on Surface Science (ISSS-8), Oct. 2017.
• Y. Takagi, S. Yamazaki, K. Nakatsuji, H. Hirayama. Fabrication of Monolayer Graphene Using a Liquid Droplet Method, The 15th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces (ICFSI-15), Nov. 2015.
• I. Kokubo, Y. Yoshiike, K. Shishikura, K. Nakatsuji, H. Hirayama. Ultra-thin Bi(110) films on Si(111)√3x√3-B substrates, AVS 62nd International Symposium (AVS62), Oct. 2015.
• Satoru Tanaka, Kohei Fukuma, Kohei Morita, Shingo Hayashi, Takashi Kajiwara, Anton Visikovskiy, Takushi Iimori, Koichiro Ienaga, Koichiro Yaji, Kan Nakatsuji, Fumio Komori, Hirokazu Tanaka, Akinobu Kanda, Nguyen T. Cuong, Susumu Okada. Quasi-one-dimensional graphene nanostructure on corrugated SiC surfaces, 21st International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems/17th International Conference on Modulated Semiconductor Structures(EP2DS-21/MSS-17), Abstract of International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems, Vol. 21, July 2015.
• Y. Yoshiike, I. Kokubo, Y. Aoki, K. Nakatsuji, H. Hirayama. STM imaging of the buried interface structures at ultra-thin Ag films/Si(111) substrates, AVS 61st International Symposium (AVS61), Nov. 2014.
• Y. Yoshiike, I. Kokubo, Y. Aoki, K. Nakatsuji, H. Hirayama. Periodic ripples at the surfaces of Ag ultra-thin-films on Si(111)√3x√3-B substrates, The 7th International Symposium on Surface Science (ISSS-7), Nov. 2014.
• Y. Yoshiike, H. Fukumoto, Y. Aoki, K. Nakatsuji, H. Hirayama. Ripples structure of Ag(111) ultra-thin films on Si(111)7x7 substrates, 12th International Conference on Atomically Controlled Surface, Interfaces and Nanostructures (ACSIN12), Nov. 2013.
• K. Nakatsuji, Y. Takagi, Y. Yoshimoto, T. Iimori, K. Yaji, K. Tomatsu, Y. Harada, T. Takeuchi, T. Tokushima, Y. Takata, S. Shin, T. Ishikawa, F. Komori. Polarization dependent soft X-ray emission spectroscopy of cobalt nano-islands on a nitrogen-adsorbed Cu(001) surface, J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom., Vol. 181, pp. 225-228, 2010.  公式リンク  
  
• K. Nakatsuji, T. Iimori, Y. Takagi, D. Sekiba, S. Doi, M. Yamada, T. Okuda, A. Harasawa, T. Kinoshita, F. Komori. Surface restructuring process on a Ag/Ge(001) surface studied by photoelectron spectroscopy, Appl. Surf. Sci., Vol. 254, pp. 7638-7641, 2008.  公式リンク  
  
• Y. Nara, K. Yaji, T. Iimori, K. Nakatsuji, F. Komori. STM observation of surface phases of Sn/Cu(001), Surf. Sci., Vol. 601, pp. 5170-5172, 2007.  公式リンク  
  
• K. Nakatsuji, M. Yamada, S. Ohno, Y. Naitoh, T. Iimori, T. Okuda, A. Harasawa, T. Kinoshita, F. Komori. Electronic structure of Ag thin films on a Ge(001) surface, Surf. Rev. Lett., Vol. 9, pp. 681-686, 2002.  公式リンク  
  
• M. Kotsugi, H. Daimon, K. Nakatsuji, T. Okuda, T. Furuhata, M. Fujikawa, H. Takagi, Y. Tezuka, S. Shin, K. Kitahama, T. Kawai, S. Suga. Symmetry analysis of the Fermi surface of Bi2Sr2CaCu2O8 by display analyzer, J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom., Vol. 88, pp. 489-493, 1998.  公式リンク  
  
• T. Okuda, H. Daimon, K. Nakatsuji, M. Kotsugi, S. Suga, Y. Tezuka, S. Shin, T. Hasegawa, K. Kitazawa. Two-dimensional angle-resolved resonance photoelectron spectroscopy of 1T-TaS2, J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom., Vol. 88, pp. 287-292, 1998.  公式リンク  
  
• K. Nakatsuji, H. Daimon, T. Furuhata, H. Takagi, M. Fujikawa, S. Suga, T. Miyahara, A. Yagishita, C. H. Solterbeck, W. Schattke. Observation of circular dichroism in angular distribution of the valence band photoelectron from Si(001) in UPS region, J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom., Vol. 88, pp. 213-218, 1998.  公式リンク  
  
• T. Okuda, H. Daimon, M. Kotsugi, K. Nakatsuji, M. Fujikawa, S. Suga, Y. Tezuka, S. Shin, M. Kasai, Y. Tokura. Fermi surface of Sr2RuO4 studied by two-dimensional angle resolved photoelectron spectroscopy, J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom., Vol. 88, pp. 473-477, 1998.  公式リンク  
  
• K. Nakatsuji, K. Matsuda, T. Yonezawa, H. Daimon, S. Suga. Adsorption and desorption processes of Cl on a Si(100) surface, Surf. Sci., Vol. 363, pp. 321-325, 1996.  公式リンク  
  

国際会議発表 (査読なし・不明)

• T. Ogino, I. Seo, H. Tajiri, M. Nakatake, S. Takakura, Y. Sato, Y. Hasegawa, Y. Gohda, K. Nakatsuji, H. Hirayama. Intrinsic superconductivity of two monolayer thick Indium film, The 22nd International Vacuum Congress, Sept. 2022.
• T. Kasai, T. Yamagami, K. Nakatsuji, H. Hirayama. Bi Intercalation at the Graphene/Cu(111) Interface, The 22nd International Vacuum Congress, Sept. 2022.
• N. Sasagawa, Y. Itakura, K. Kizaki, K. Nakatsuji, H. Hirayama. Observation of the buried interface under the ultrathin In film on the Si(111)7x7 substrate; Revisit, The 22nd International Vacuum Congress, Sept. 2022.
• Kan Nakatsuji. Atomic and electronic structures of Bi(110) islands grown on Si substrates, IMR+MAX IV 2020, Jan. 2020.
• K. Nakatsuji, Y. Shimokawa, T. Fujiwara, K. Nagase, S. Yamazaki, Y. Watanabe, K. Mase, K. Takahashi, H. Hirayama. Electronic structure of Bi(110) ultra-thin films grown on a Si(111)√3 x √3-B substrate, 21st International Vacuum Congress, July 2019.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 織田孝幸, 長尾俊佑, 笹川直希, 大内拓実, 飯盛拓嗣, 小森文夫, 平山博之, 中辻寛. Si(111)√3×√3-Ag 基板上のBi超薄膜の表面構造と電子状態, 日本物理学会2024年春季大会, Mar. 2024.
• 河添理央, 片野達貴, 大島尚樹, 加賀大暉, 飯盛拓嗣, 小森文夫, 平山博之, 中辻寛. Cu(001)基板上のPd超薄膜における合金化と電子状態, 日本物理学会2024年春季大会, Mar. 2024.
• 中辻寛. Si基板上に成長したBi(110)超薄膜の構造と電子状態, 日本表面真空学会・九州支部セミナー「半導体表面および２次元物質の新規物性」, Nov. 2023.
• 竹村晃一, 片野達貴, 河添理央, Insung Seo, 飯盛拓嗣, 小森文夫, 小澤健一, 間瀬一彦, 合田義弘, 平山博之, 中辻寛. SiC(0001)基板上に成長したグラフェンへのFeインターカレーション, 日本物理学会2023年春季大会, Mar. 2023.
• 瓜生瞳美, 長尾俊佑, 平山博之, 中辻寛. (In,Bi)/Si(111)表面の原子構造, 日本物理学会2023年春季大会, Mar. 2023.
• 長尾俊佑, 大内拓実, 瓜生瞳美, 織田孝幸, 飯盛拓嗣, 小森文夫, 中辻寛, 平山博之. Si(111)√3×√3-Ag 表面上のBi(110)超薄膜の電子状態, 日本物理学会2023年春季大会, Mar. 2023.
• 大内拓実, 長尾俊祐, 中村玲雄, 竹村晃一, 志村舞望, 潮田亮太, 飯盛拓嗣, 小森文夫, 平山博之, 中辻寛. Si(111)√3×√3-B 表面上のBi(110)超薄膜の電子状態における基板依存性, 日本物理学会第76回年次大会, Mar. 2022.
• 森井七生, 永友慶, 竹村晃一, 河添理央, 飯盛拓嗣, 小森文夫, 平山博之, 中辻寛. Cu(001)c(4×2)-Bi表面の構造形成と電子状態, 日本物理学会第76回年次大会, Mar. 2022.
• 笹川直希, 板倉悠太, 木崎京香, 中辻寛, 平山博之. Si(111)7×7基板上のIn薄膜における結晶成長と埋もれた界面の研究, 日本物理学会第76回年次大会, Mar. 2022.
• 志村舞望, 潮田亮太, 中辻寛, 平山博之. 二段階成長における平坦な黒燐構造Bi(110)超薄膜の成長過程, 日本物理学会第76回年次大会, Mar. 2022.
• 永友慶, 森井七生, 竹村晃一, 飯盛拓嗣, 小森文夫, 平山博之, 中辻寛. PdCu表面合金層の電子構造と水素曝露が及ぼす影響, Mar. 2022.
• 永友慶, 森井七生, 飯盛拓嗣, 小森文夫, 平山博之, 中辻寛. PdCu表面合金層の電子構造, 2021年日本表面真空学会学術講演会, Nov. 2021.
• 大内拓実, 中村玲雄, 竹村晃一, 志村舞望, 潮田亮太, 飯盛拓嗣, 小森文夫, 平山博之, 中辻寛. Si(111)√3×√3-B表面上のBi(110)超薄膜の電子状態, 2021年日本表面真空学会学術講演会, Nov. 2021.
• 森井七生, 永友慶, 竹村晃一, 大内拓実, 瓜生瞳美, 長尾俊佑, 河添理央, 飯盛拓嗣, 小森文夫, 平山博之, 中辻寛. Cu(001)c(4×2)-Bi表面の電子状態, 2021年日本表面真空学会学術講演会, Nov. 2021.
• 志村舞望, 潮田亮太, 中辻寛, 平山博之. Si基板上における低温蒸着した黒燐構造Bi超薄膜の室温アニールによる成長過程, 日本物理学会2021年秋季大会, Sept. 2021.
• 笠井大雅, 山上剛史, 中辻寛, 平山博之. Biをインターカレートさせたグラフェン/Bi[2012]/Cu(111)のSTM観測, 日本物理学会2021年秋季大会, Sept. 2021.
• 笹川直希, 潮田亮太, 中辻寛, 平山博之. Si(111)7×7基板上に低温蒸着させたビスマス超薄膜の構造相転移の臨界点におけるBi(111)テラスの構造, 日本物理学会2021年秋季大会, Sept. 2021.
• 木村 彰博, 森井 七生, 佐藤 圭介, 永友 慶, 小澤 健一, 小森 文夫, 飯盛 拓嗣, 平山 博之, 中辻 寛. Cu(001)表面上のFe薄膜に及ぼす酸素・窒素サーファクタントの影響, 日本物理学会第76回年次大会, Mar. 2021.
• 荻野嵩大, 田尻寛男, 中辻寛, 平山博之. X線CTR散乱による√7×√3-In-rect/Si(111)√3×√3-Bの界面構造の測定, 日本物理学会第76回年次大会, Mar. 2021.
• 中村玲雄, 勝俣錬, 潮田亮太, 大内拓実, 小森文夫, 飯盛拓嗣, 平山博 之, 中辻寛. n-type Si(111)√3×√3-B 表面上のBi(110)超薄膜の電子状態, 日本物理学会第76回年次大会, Mar. 2021.
• 諸貫 亮太, 大内 拓実, 永友 慶, 森井 七生, 金野 達, 白澤 徹郎, 平山 博之, 中辻 寛. Si(110)3×2-Bi表面の構造解析, 日本物理学会第76回年次大会, Mar. 2021.
• 勝俣錬, 中村玲雄, 金野達, 木村彰博, 大内拓実, 永友慶, 田中和也, 下川裕理, 小澤健一, 間瀬一彦, 小森文夫, 飯盛拓嗣, 平山博之, 中辻寛. Si(111)√3×√3-(Bi,In)表面の電子状態, 日本物理学会第76回年次大会, Mar. 2021.
• 白澤 徹郎, 潮田 亮太, 中辻 寛, 平山 博之. 表面X線散乱による低温蒸着した黒燐構造Bi超薄膜の成長過程観察, 日本物理学会第76回年次大会, Mar. 2021.
• 潮田 亮太, 志村 舞望, 笠井 大雅, 笹川 直希, 長瀬 謙太郎, 中辻 寛, 平山 博之. 黒燐構造Bi 超薄膜の成長過程と構造相転移の蒸着レート制御, 日本物理学会第76回年次大会, Mar. 2021.
• 志村 舞望, 潮田 亮太, 中辻 寛, 平山 博之. Si(111)表面上における黒リン構造Bi(110)超薄膜の低温蒸着による成長過程, 日本物理学会第76回年次大会, Mar. 2021.
• 山上剛史, 中辻寛, 平山博之. ビスマス原子を吸着させたグラフェン/Cu(111)表面における原子構造・電子状態, 日本物理学会第76回年次大会, Mar. 2021.
• 金野達, 勝俣錬, 木村彰博, 中村玲雄, 諸貫亮太, 山崎詩郎, 小澤健一, 間瀬一彦, 飯盛拓嗣, 小森文夫, 平山博之, 中辻寛. Si(110)3×2-Bi表面の電子状態, 2020年日本表面真空学会学術講演会, Nov. 2020.
• 飯盛拓嗣, 今村均, 魚谷亮介, 宮町俊生, 服部琢磨, 中辻寛, 北村未歩, 堀場弘司, 間瀬一彦, 梶原隆司, Visikovskiy Anton, 田中悟, 小森文夫. SiC(0001)上のツイストグラフェンの電子状態のツイスト角度依存性, 日本物理学会 2020年秋季大会, Sept. 2020.
• 白澤徹郎, Wolfgang Voegeli, 荒川悦雄, 高橋敏男, 潮田亮太, 中辻寛, 平山博之. 変形黒鱗構造Bi超薄膜の原子スケール成長機構解析, 日本物理学会2020年秋季大会, Sept. 2020.
• 潮田亮太, 長瀬謙太郎, 荻野嵩大, 車尾ヴァレンティン基, 中辻 寛, 白澤 徹郎, 平山 博之. Si(111)7×7 基板上における奇数層高さBi(110)島の出現, 日本物理学会第75回年次大会, Mar. 2020.
• 金野達, 勝俣錬, 木村彰博, 中村玲雄, 山崎詩郎, 小澤健一, 間瀬一彦, 飯盛拓嗣, 小森文夫, 平山博之, 中辻寛. Si(110)3x2-Bi表面の電子状態, 日本物理学会第75回年次大会, Mar. 2020.
• 中辻 寛. シリコン基板上に成長したBi超薄膜の構造と電子状態, 日本表面真空学会2019年学術講演会, Oct. 2019.
• 長瀬謙太郎, 山崎詩郎, 中辻寛, 平山博之. Si(111)√3×√3-B基板上に低温蒸着したビスマス超薄膜の室温アニールによる構造変化(2), 日本物理学会2019年秋季大会, Sept. 2019.
• 山上剛史, 四ツ谷壮一郎, 山崎詩郎, 中辻寛, 平山博之. Cu(111)上に成長させたh-BN膜における成長様式・電子状態の層数依存性, 日本物理学会2019年秋季大会, Sept. 2019.
• 佐藤圭介, 金野達, 木村彰博, 渡邊瞳, 田中和也, 山崎詩郎, 飯盛拓嗣, 小森文夫, 平山博之, 中辻寛. 酸素サーファクタントを用いてCu(001)表面上に作製したFe薄膜の表面構造と電子状態, 日本物理学会第74回年次大会, Mar. 2019.
• 田中和也, 金野達, 下川裕理, 佐藤圭介, 山崎詩郎, 飯盛拓嗣, 小森文夫, 間瀬一彦, 平山博之, 中辻寛. Si(111)基板上におけるBi-In表面合金の構造と電子状態, 日本物理学会第74回年次大会, Mar. 2019.
• 菅原喜周, 板倉悠太, 山崎詩郎, 中辻寛, 平山博之. Si(111)基板上Ag(111)超薄膜の有効量子井戸幅評価, 日本物理学会第74回年次大会, Mar. 2019.
• 菅原喜周, 板倉悠太, 山崎詩郎, 中辻寛, 平山博之. Ag超薄膜/Si(111)基板界面wetting layerの結晶化に伴う量子井戸準位のエネルギーシフト, Sept. 2018.
• 長瀬謙太郎, 山崎詩郎, 中辻寛, 平山博之. Si(111)√3x√3-B基板上に低温吸着したビスマス超薄膜のアニールによる構造変化, 日本物理学会2018年秋季大会, Sept. 2018.
• 車尾ヴァレンティン基, 荻野嵩大, 山崎詩郎, 中辻寛, 平山博之. Si(111)√3x√3-B基板上のIn吸着表面超構造, 日本表面科学会 第3回関東支部講演大会, Apr. 2018.
• 板倉悠太, 菅原喜周, 山崎詩郎, 中辻寛, 平山博之. Ag超薄膜中の量子閉じ込めにおけるwetting layerの効果, 日本表面科学会 第3回関東支部講演大会, Apr. 2018.
• 長瀬謙太郎, 小久保郁也, 山崎詩郎, 中辻寛, 平山博之. Si(111)√3x√3-B表面上に成長したBi(110)超薄膜の構造, SPRUC顕微ナノ材料科学研究会・表面科学会放射光部会・プローブ顕微鏡研究部会合同シンポジウム, Mar. 2018.
• 吉池雄作, 田尻寛男, 山崎詩郎, 中辻寛, 平山博之. 表面X線回折によるAg/Si(111)√3x√3-B界面構造の研究, 日本物理学会第73回年次大会, Mar. 2018.
• 下川裕理, 田中和也, 佐藤圭介, 渡邊瞳, 山崎詩郎, 飯盛拓嗣, 小森文夫, 間瀬一彦, 平山博之, 中辻寛. Bi/Si(111)4×1-In表面の構造と電子状態, 日本物理学会第73回年次大会, Mar. 2018.
• 車尾ヴァレンティン基, 荻野嵩大, 山崎詩郎, 中辻寛, 平山博之. Si(111)√3x√3-B表面のIn吸着構造, 日本物理学会第73回年次大会, Mar. 2018.
• 長瀬謙太郎, 山崎詩郎, 中辻寛, 平山博之. 低温蒸着によるBi超薄膜の構造と電子状態, 日本物理学会2017年秋季大会, Sept. 2017.
• 山上剛史, 高木優香, 山崎詩郎, 中辻寛, 平山博之. アンモニアボラン分子蒸着による銅表面上での六方晶窒化ホウ素の合成, 日本物理学会2017年秋季大会, Sept. 2017.
• 下川裕理, 藤原翼, 長瀬謙太郎, 山崎詩郎, 渡辺義夫, 仲武昌史, 間瀬一彦, 高橋和敏, 中辻寛, 平山博之. Si(111)√3x√3-B表面上に成長した数層Bi(110)薄膜の電子状態, 日本物理学会2017年秋季大会, Sept. 2017.
• 荻野嵩大, 山崎詩郎, 中辻寛, 平山博之. キャリアドーピングによるSi(111)4xi-In表面の金属―絶縁体転移の制御, 日本物理学会2017年秋季大会, Sept. 2017.
• 石綿慈, 山崎詩郎, 中辻寛, 平山博之. グラファイト表面上のモアレ構造部分におけるdz/dVスペクトル測定, 日本物理学会2017年秋季大会, Sept. 2017.
• 飯盛拓嗣, 家永紘一郎, 宮町俊生, 中島脩平, 高橋文雄, 矢治光一郎, 中辻寛, 間瀬一彦, 福間洸平, 林真吾, 梶原隆司, Anton Visikovsliy, 田中悟, 小森文夫. 6H-SiC(0001)表面上のナノファセットに形成したグラフェンの電子 フォノン相互作用, 日本物理学会2017年秋期大会, 日本物理学会講演概要集, Sept. 2017.
• 荻野嵩大, 平山博之, 中辻寛, 山崎詩郎. Si(111)4x1-In表面における電子ドーピングによる金属―絶縁体転移の操作, 第37回表面科学学術講演会, Aug. 2017.
• 長瀬謙太郎, 山崎詩郎, 中辻寛, 平山博之. Bi(110)超薄膜の膜厚偶奇性と電子状態, 第37回表面科学学術講演会, Aug. 2017.
• 菅原喜周, 長瀬謙太郎, 山崎詩郎, 中辻寛, 平山博之. Ag(111)超薄膜中の量子井戸準位と真空中の鏡像準位におけるavoided crossingの測定, 第37回表面科学学術講演会, Aug. 2017.
• 長瀬 謙太郎, 渡辺 成栄, 山崎 詩郎, 合田 義弘, 中辻 寛, 平山 博之. Si(111)√3×√3-B表面上に形成されるBi(110)超薄膜の電子状態(II), 日本物理学会第72回年次大会, Mar. 2017.
• 藤原翼, 下川裕理, 長瀬謙太郎, 山崎詩郎, 間瀬一彦, 渡辺義夫, 仲武昌史, 中辻寛, 平山博之. Si(111)√3×√3-B 表面上のBi(110)超薄膜の成長と電子状態, 日本物理学会第72回年次大会, Mar. 2017.
• 菅原喜周, 長瀬謙太郎, 山崎詩郎, 中辻寛, 平山博之. Si(111)√3×√3-B 表面上Ag(111)超薄膜のImage Potential Stateの測定, 日本物理学会第72回年次大会, Mar. 2017.
• 飯盛拓嗣, 中辻寛, 宮町俊生, 家永紘一郎, 豊久宗玄, 福間洸平, 森田康平, 林真吾, 梶原隆司, Anton Visikovsliy, 田中悟, 間瀬一彦, 小森文夫. 6H-SiC(0001)表面上のナノファセットに形成したグラフェンの電子状態について II, 日本物理学会第72回年次大会, 日本物理学会講演概要集, Mar. 2017.
• 飯盛拓嗣, 中辻寛, 宮町俊生, 家永紘一郎, 豊久宗玄, 福間洸平, 森田康平, 林真吾, 梶原隆司, Anton Visikovsliy, 田中悟, 間瀬一彦, 小森文夫. 6H-SiC(0001)表面上のナノファセットに形成したグラフェンの電子状態について, 日本物理学会2016年秋期大会, 日本物理学会講演概要集, Sept. 2016.
• 飯盛拓嗣, 中辻寛, 家永紘一郎, 宮町俊生, 矢治光一郎, 福間洸平, 森田康平, 林真吾, 梶原隆司, Visikovskiy Anton, 間瀬一彦, 田中悟, 小森文夫. SiC(0001)ナノファセット基板上グラフェンの構造と電子状態, 日本物理学会第71回年次大会, 日本物理学会講演概要集, Vol. 71, No. 1, Mar. 2016.
• 平山博之, 中辻寛. STM,ARPESによるBi薄膜の構造と電子状態の研究, 第11回 放射光表面科学研究部会 顕微ナノ材料科学研究会 合同シンポジウム, Mar. 2016.
• 福間 洸平, 林 真吾, 梶原 隆司, Anton Visikovskiy, 飯盛 拓嗣, 家永 紘一郎, 矢治 光一郎, 中辻 寛, 小森 文夫, 田中 宏和, 神田 晶申, 田中 悟. SiC ファセット上サブ 2 次元グラフェンの構造制御, 第63回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会春季学術講演予稿集, Vol. 63, Mar. 2016.
• 飯盛拓嗣, 中辻寛, 宮町俊生, 家永紘一郎, 金聖憲, 田村匡, 豊久宗玄, 福間洸平, 森田康平, 梶原隆司, 林真吾, Anton Visikovsliy, 田中悟, 間瀬一彦, 小森文夫. SiC(0001)表面上のナノファセットに形成したグラフェンの角度分解光電子分光, 日本物理学会2015年秋季大会, 日本物理学会講演概要集, Sept. 2015.

その他の論文・著書など

• 中辻寛, 髙木 康多, 吉本 芳英, 関場 大一郎, 飯盛 拓嗣, 小森 文夫. 窒素吸着Cu(001)表面に形成されたナノサイズCo島の電子状態, 表面科学, Vol. 30, pp. 524, 2009.
• 小森 文夫, 髙木 康多, 中辻 寛, 吉本 芳英. トンネルキャリア注入とその伝播によるナノスケール遠隔原子操作, 固体物理, Vol. 42, pp. 19, 2007.
• 髙木 康多, 中辻寛, 小森 文夫. トンネル注入したキャリアーの表面伝播による非局所相転移誘起, 日本物理学会誌, Vol. 61, pp. 176, 2006.
• 中辻寛, 髙木 康多, 吉本 芳英, 小森 文夫. Ge(001)表面における表面構造の操作, 表面科学, Vol. 26, pp. 315, 2005.

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