論文

• K. Fukuda, N. Nogami, S. Kunisada, Y. Miyamoto. Circuit speedoriented device design scheme for GaAsSb / InGaAs double gatehetero-junction tunnel FETs, Jpn. J. Appl. Phys., 59, SGGA06 (2020), Feb. 2020.  公式リンク  
  
• Wenbo Lin, Shinjiro Iwata, Koichi Fukuda, Yasuyuki Miyamoto. Scaling limit for InGaAs/GaAsSb heterojunction double-gate tunnel FETs from the viewpoint of direct band-to-band tunneling from source to drain induced off-characteristics deterioration, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 55, No. 7, pp. 070303, June 2016.  公式リンク  
  
• 岩田 真次郎, 大橋 一水, 林 文博, 福田 浩一, 宮本 恭幸. GaAsSb/InGaAsダブルゲートンネルFET におけるソースおよびドレイン不純物濃度依存性, 電気学会論文誌C, Vol. 136, no. 4, pp. 467-473, Apr. 2016.

国際会議発表 (査読有り)

• K. Fukuda, N. Nogami, S. Kunisada, Y. Miyamoto. Circuit speedoriented device design scheme for double gate hetero tunnel FETs, 2019 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM 2019), PS-1-21(LN),, Sept. 2019.
• Y. Miyamoto, W. Lin, S.Iwata, K. Fukuda. Steep sub-threshold slope in short-channel InGaAs TFET (Invited), The 18th International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA-2016), A6-I-01, July 2016.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 野上 直哉, 福田 浩一, 宮本 恭幸. 量子効果の影響を考慮したGaAsSb/InGaAs Double-Gate Tunnel FETの検討, 第66回応用物理学会春季学術講演会, 9p-S221-4, Mar. 2019.
• 岩田 真次郎, 大橋 一水, 祢津 誠晃, 福田 浩一, 宮本 恭幸. GaAsSb/InGaAsヘテロ接合を用いたダブルゲートトンネルFETにおける界面準位の導入による性能の劣化, 第76回応用物理学会秋季学術講演会, 16a-1C-6, Sept. 2018.
• 國貞 彰吾, 福田 浩一, 宮本 恭幸. GaAsSb/InGaAsダブルゲートTunnel FETにおける量子効果の検討‐正孔バンドの取り扱い, 第65回応用物理学会春季学術講演会, 18a-G203-7, Mar. 2018.
• 國貞 彰吾, 福田 浩一, 宮本 恭幸. [8a-C18-3] InGaAs/GaAsSbダブルゲートTunnel FETにおける量子効果の影響, 第78回応用物理学会秋季学術講演会, Sept. 2017.
• 金澤 徹, 雨宮 智宏, 祢津 誠晃, Vikrant Upadhyaya, 福田 浩一, 宮本 恭幸. HfS2系トンネルトランジスタのデバイスシミュレーション, 第64回応用物理学会春季学術講演会, 16a-F203-3, Mar. 2017.
• 林 文博, 岩田 真次郎, 福田 浩一, 宮本 恭幸. 短チャネルTFET におけるソース-ドレイン間直接トンネリングのオフ電流への寄与, 第63回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2016.  公式リンク  
  

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