論文

• Eisuke TOKUMITSU, Youhei KONDO. Fabrication and Characterization of ITO/BZN Thin Film Transistors, Journal of the Korean Physical Society, Vol. 54, No. 1, pp. 539-543, Jan. 2009.

国際会議発表 (査読有り)

• Eisuke Tokumitsu, Youhei Kondo, Tomohiro Oiwa. Preparation of Bi-Zn-Nb-O(BZN)High-K Gate insulator by Sputtering for Oxide Channel Thin Film Transistors, 16th Workshop on Dielectrics in Microelectronics(WoDiM 2010), June 2010.
• Tomohiro Oiwa, Youhei Kondo, Mitsuru Nakata, Eisuke Tokumitsu. Fabrication of IGZO Channel Thin Film Transistor with BZN Gate Insulator, 2008 Fall Meeting, Materials Research Society, Paper. B10.3, Dec. 2008.
• Eisuke Tokumitsu, Tomohiro Oiwa, Yohei Kondo, Masaru Senoo. All-Oxide Transparent Thin Film Transistors with and without Nonvolatile Memory Function, 15th Workshop on Dielectrics in Microelectronics(WoDiM 2008), June 2008.
• Eisuke Tokumitsu, Youhei Kondou. Transparent oxide-channel thin film transistor with Bi-Zn-Nb-O gate insulator, E-MRS 2008, Spring Meeting,, May 2008.
• Eisuke TOKUMITSU, Youhei Kondou. Fabrication and Characterization of ITO/BZN Thin Film Transistors, The Proceedings of the 4th International TFT Conference(ITC 2008), pp. 295-298, Jan. 2008.

国内会議発表 (査読有り)

• 近藤 洋平, 徳光 永輔. Bi1.5An1.0Nb1.5O7をｹﾞｰﾄ絶縁膜に用いたＩＴＯﾁｬﾈﾙ薄膜トランジスタの作製, 第６８回 応用物理学会学術講演会, 第６８回 応用物理学会学術講演会, No. 5p-ZT-7/II, Sept. 2007.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 近藤洋平, 大岩朝洋, 羽賀健一, 徳光永輔. Bi1.5Zn1.0b1.5O7をゲート絶縁膜に用いた酸化物チャネル薄膜トランジスタの作製, 第５６回 応用物理学関係連合会講演会, 第５６回 応用物理学関係連合会講演会, 31p-ZH-12/Ⅱ, Mar. 2009.
• 大岩朝洋, 近藤洋平, 中田充, 徳光永輔. 強誘電体・高誘電率材料をゲート絶縁膜に用いたIGZOチャネル薄膜トランジスタの作製と評価, 第69回応用物理学会学術講演会, 2008年秋季 第69回応用物理学会学術講演会 講演予稿集, 3a-K-9, Sept. 2008.
• 徳光永輔, 柴田宏, 大岩朝洋, 近藤洋平. 強誘電体および高誘電率材料をゲート絶縁膜に用いた酸化物チャネル薄膜トランジスタ, 信学技報、SDM2008-11、OME2008-11(2008-4), 電子情報通信学会, Vol. 108, No. 1, pp. 51-56, Apr. 2008.

[ BibTeX 形式で保存 ]    [ 論文・著書をCSV形式で保存 ]    [ 特許をCSV形式で保存 ]