論文

• R. Terao, T. Kanazawa, S. Ikeda, Y. Yonai, A. Kato, Y. Miyamoto. InP/InGaAs Composite MOSFETs with Regrown Source and Al2O3 gate dielectric Exhibiting Maximum Drain Current Exceeding 1.3 mA/μm, Applied Phys. Exp., The Japan Society of Applied Physics, vol. 4, no. 5, 054201, Apr. 2011.
• Toru Kanazawa, kazuya wakabayashi, Hisashi Saito, Ryousuke Terao, Shunsuke Ikeda, YASUYUKI MIYAMOTO, KAZUHITO FURUYA. Submicron InP/InGaAs Composite-Channel Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor with Selectively Regrown n+-Source, Applied Physics Express, Vol. 3, No. 9, 094201, Sept. 2010.

国際会議発表 (査読有り)

• T. Kanazawa, R. Terao, S. Ikeda, Y. Miyamoto. MOVPE-regrown source/drain regions for III-V MOSFETs with high drain current of 1.28 A/mm, 23rd Int. Conf. Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2011), Sept. 2011.  公式リンク  
  
• Toru Kanazawa, Ryousuke Terao, Yuutarou Yamaguchi, Shunsuke Ikeda, Yosiharu Yonai, YASUYUKI MIYAMOTO. InP/InGaAs MOSFET with Back-Electrode Structure Bonded on Si Substrate Using a BCB Adhesive Layer, 2010 International Conference on Solid State Devices and Materials, pp. 129-130, Sept. 2010.
• T. Kanazawa, K. Wakabayashi, H. Saito, R. Terao, T. Tajima, S. Ikeda, Y. Miyamoto, K. Furuya. Submicron InP/InGaAs composite channel MOSFETs with selectively regrown n+-source/drain buried in channel undercut, 22nd Int. Conf. Indium Phosphide and Related Materials, June 2010.
• Toru Kanazawa, Hisashi Saito, Kazuya Wakabayashi, Ryousuke Terao, Tomonori Tajima, YASUYUKI MIYAMOTO, KAZUHITO FURUYA. Fabrication of InP/InGaAs Undoped Channel MOSFET with Selectively Regrown N⁺-InGaAs Source Region, 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials, pp. 246-247, Oct. 2009.

国内会議発表 (査読有り)

• 柏木, 上田, 寺尾, 鈴木, 高尾, 下川, 中本. ヒータ加熱方式を用いた超小型香り発生デバイスの性能評価, 電気学会全国大会、2014, 2014.

国際会議発表 (査読なし・不明)

• K. Wakabayashi, T. Kanazawa, H. Saito, R. Terao, S. Ikeda, Y. Miyamoto, K. Furuya. InP/In0.53Ga0.47As composite channel n-MOSFETwith heavily dopedregrown source/drain structure, Int. Symposium on Silicon Nano Devices in 2030, Oct. 2009.

国内会議発表 (査読なし・不明)

• 金澤 徹, 寺尾 良輔, 山口 裕太郎, 池田 俊介, 米内 義晴, 加藤 淳, 宮本 恭幸. 裏面電極を有するⅢ－Ⅴ族量子井戸型チャネルMOSFET, 電子情報通信学会電子デバイス研究会, Jan. 2011.
• 金澤徹, 寺尾良輔, 山口裕太郎, 池田俊介, 米内義晴, 加藤淳, 宮本恭幸. Si基板上貼付された裏面電極付InP/InGaAs MOSFET, 第71回応用物理学会学術講演会, Sept. 2010.
• 寺尾良輔, 金澤徹, 池田俊介, 米内義晴, 加藤淳, 宮本恭幸. Al2O3ゲート絶縁膜および再成長ソースを有するサブミクロンInP/InGaAs n-MOSFET, 第71回応用物理学会学術講演会, Sept. 2010.
• 若林和也, 金澤 徹, 齋藤尚史, 寺尾良輔, 池田俊介, 宮本恭幸, 古屋一仁. 再成長ソースを有するサブミクロンInP/InGaAs nMOSFETの電流電圧特性, 第57回応用物理学関係連合研究会, Mar. 2010.
• 金澤 徹, 若林和也, 齋藤尚史, 寺尾良輔, 田島智宣, 池田俊介, 宮本恭幸, 古屋一仁. III-V族サブミクロンチャネルを有する高移動度MOSFET, 電気学会電子デバイス研究会, Mar. 2010.
• 寺尾良輔, 金澤 徹, 齋藤尚史, 若林和也, 池田俊介, 宮本恭幸, 古屋一仁. Al2O3ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsチャネル n-MOSFETの電気特, 第57回応用物理学関係連合研究会, Mar. 2010.
• 金澤徹, 若林和也, 齋藤尚史, 寺尾良輔, 田島智宣, 池田俊介, 宮本恭幸, 古屋一仁. Al2O3ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsコンポジットチャネルMOSFET, 電子情報通信学会 電子デバイス研究会, 電子情報通信学会技術研究報告 電子デバイス, Vol. 109, No. 360, pp. 39-42, Jan. 2010.
• 若林和也, 金澤 徹, 齋藤尚史, 田島智宣, 寺尾良輔, 宮本恭幸, 古屋一仁. 「再成長ソースを有するアンドープチャネルInP/InGaAs MOSFETの電流特性, 第70回応用物理学会学術講演会, Sept. 2009.
• 若林 和也, 金澤 徹, 齋藤 尚史, 田島 智宣, 寺尾 良輔, 宮本 恭幸, 古屋 一仁. 再成長ソースを有するアンドープチャネルInP/InGaAs MOSFETの電流特性, 第70回応用物理学会学術講演会, pp. 1299, Sept. 2009.

[ BibTeX 形式で保存 ]    [ 論文・著書をCSV形式で保存 ]    [ 特許をCSV形式で保存 ]